목차
Cu film의 전기적 특성 분석 실험
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1. 실험목적
2. 실험방법
3. 이론적 배경
4. 실험결과
5. 고찰
6. 참고문헌
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1. 실험목적
2. 실험방법
3. 이론적 배경
4. 실험결과
5. 고찰
6. 참고문헌
본문내용
고찰 과 를 통하여 결정립이 커질수록 비저항이 작아지는 사실을
도출할 수 있다.
Cu박막에서 전류가 흐를 때, 전류는 Cu결정립의 경계를 따라 흐르는 특성이 있다. 그림 는 400℃에서 열처리를 하였기 때문에 결정립이 매우 작다. 따라서 전류가 흐르는 경로가 복잡하여 전류의 흐름이 빠르지 못하다. 그러므로 비저항값이 크게 나온다.
그러나 그림 는 500℃에서 열처리를 하였으므로 그림 에 비해 결정립이 크고 전류가 흐르기에 좋으므로 비저항값이 작아진다.
그림 (400℃)
그림 (500℃)
고찰 , , 을 통하여 Sputtering 후 Cu박막의 열처리리 시 상대적으로 고온에서 진행해야 비저항이 낮은 Cu 박막을 얻을 수 있다는 결론을 얻는다
Cu의 고유값(1.67)과 실험에서의 비저항의 오차 원인
클리닝시 불순이 충분히 제거되지 않아서 불순물이 Cu와 반응하였을가능성
열처리단계에서 고진공상태에 충분히 도달하지 않았으므로 공기중의불순물이 Cu와 반응하였을 가능성
열처리 후 쿨링단계에서 완전히 쿨링을 하지 않아 Cu가 공기중의산소와 반응하여 산화물이 되었을 가능성
6. 참고문헌
<박막공학>(2009), 이문희, 두양사
<결정성장학>(1998), 김현구, 대웅
도출할 수 있다.
Cu박막에서 전류가 흐를 때, 전류는 Cu결정립의 경계를 따라 흐르는 특성이 있다. 그림 는 400℃에서 열처리를 하였기 때문에 결정립이 매우 작다. 따라서 전류가 흐르는 경로가 복잡하여 전류의 흐름이 빠르지 못하다. 그러므로 비저항값이 크게 나온다.
그러나 그림 는 500℃에서 열처리를 하였으므로 그림 에 비해 결정립이 크고 전류가 흐르기에 좋으므로 비저항값이 작아진다.
그림 (400℃)
그림 (500℃)
고찰 , , 을 통하여 Sputtering 후 Cu박막의 열처리리 시 상대적으로 고온에서 진행해야 비저항이 낮은 Cu 박막을 얻을 수 있다는 결론을 얻는다
Cu의 고유값(1.67)과 실험에서의 비저항의 오차 원인
클리닝시 불순이 충분히 제거되지 않아서 불순물이 Cu와 반응하였을가능성
열처리단계에서 고진공상태에 충분히 도달하지 않았으므로 공기중의불순물이 Cu와 반응하였을 가능성
열처리 후 쿨링단계에서 완전히 쿨링을 하지 않아 Cu가 공기중의산소와 반응하여 산화물이 되었을 가능성
6. 참고문헌
<박막공학>(2009), 이문희, 두양사
<결정성장학>(1998), 김현구, 대웅
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