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도통되어 커패시터 C에 전류가 흐르게 되는데 여기에서도 이 아닌 -0.7[V]의 전압이 충전됨을 실제 파형관찰을 통해 알 수 있었다.
(6) 반파 배전압 정류회로의 실험에서 부하시의 측정값 표 27-2로부터 리플계수와 전압변동률을 구하여라.
리플
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특성분석(10)
3) spice를 이용한 특성 분석 및 이론적 특성분석과 비교 검토 및 결론(10)
2-2 전압정류기
1) 자료조사(10)
2) 이론적 특성분석(10)
3) spice를 이용한 특성 분석 및 이론적 특성분석과 비교 검토 및 결론(10)
2-3. 두 회로를 결합한 회로
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회로에서 R을 2.7㏀으로 바꾸고 실험절차 13을 반복한다.
▲ Vi의 파형 ▲ Vo의 파형
▲ 부하저항 R 양단간의 dc 전압
6. 기본지식 및 관련이론
▲ 반파정류기
교류를 직류를 변환하는 가장 간단한 회로는 위의 그림과 같은 반파정류기이다. 교류
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주기를 출력하는 반파 정류회로이다. Vin>Vr이면 다이오드가 도통되어 전류가 흐른다. Vin<Vr이면, 다이오드가 차단되어 전류가 흐르지 못하므로 출력전압은0이 된다.
위의 회로에서 다이오드를 반대로 연결한 회로이다. Vin<-Vr이면 다이오
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회로에 대해 소개하고(전력전자-산업전자 수업내용), 이에 대한 시뮬레이션(Psim tool사용)을 행한다.
2. 시스템 구성
2.1. 과제1-삼상 반파 위상제어 정류회로: R 부하
2.1.1. schematic 및 설정-점호각 20°
출력전압을 측정하기 위해 전압계를 추가하여
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예비레포트를 통해 과 의 위상 차이 변화에 따른 XOR를 이용한 위상 검출기의 특성을 파악하였고, 위상 제어 루프 회로를 설계하여 중요 단의 파형을 보았을 때 두 신호의 위상이 다를 때 위상 검출기의 파형은 변하게 되고 이에 따라 출력 전
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회로의 동작에 유도부하가 미치는 영향은 무엇인가?
단상브리지정류회로의 특성과 3상 3펄스정류기의 특성을 비교하시오.
다이오드도통각 :
맥동주파수 :
출력전압의 평균치 :
회로의 출력전압과 이론값과 비교하시오.
이론값 : = 0.675= Vdc
측
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접합면에 전위장벽을 형성하므로 스위칭 속도는 오직 접합 용량에만 기인한다. 상대적으로 낮은 전압에서 도통하지만 누설전류가 크므로 고전류 저전압 전원에 이상적으로 상용된다. 다이오드 예비보고서
다이오드 결과보고서
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)을 잡아서 하는 수도 있다.
또, 특수한 목적에는 다이오드가 1개면 되는 반파(半波) 정류회로나, 콘덴서를 병용한 배압(倍壓) 정류회로도 사용된다. 일반적으로 출력을 직류에 접근시키기 위해서 평활회로를 부하와의 사이에 삽입하는 경우
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정류회로 整流回路 (rectifier circuit) : 교류를 직류로 하기 위한 회로.
한쪽 방향으로만 전류를 흘리는 정류기를 사용해서 구성한다. 단상반파(單相半波) 정류회로가 가장 간단하지만, 교류전원의 전류에 직류분(直流分)이 생긴다는 것, 직류측
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