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결과의 일관성을 확인하는 것이 중요하다. 실험 도중 트랜지스터의 발열 상태를 체크하고, 과열 시 즉시 전원을 차단해야 한다. 최종적으로는 수집한 데이터를 분석하고, 트랜지스터의 특성 곡선을 작성한다. 이 과정에서 실험의 정확성을 높
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트랜지스터의 특정 특성을 확인할 수 있었다. 이 실험은 이론적으로 알고 있던 MOSFET의 작동 원리를 보다 직관적으로 이해하는 데 큰 도움이 되었다. 또한, 실험 결과는 MOSFET의 다양한 응용 분야에서의 특성을 명확히 보여주었고, 반도체 소자
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실험을 하다보니 자연스럽게 트랜지스터를 배우는데 많은 도움이 되었다. 1 Pre-Lab(예비실험): 기본 이론 조사
2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
3 Pre-Lab(예비실험): 실험 절차
4 Pre-Lab(예비실험): 검토 및 느낀점
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인가되어야 하므로 이를 위해 축퇴 저항을 사용한다. 축퇴 저항을 사용하면 에 대한 민감성을 줄여주고 의 오차가 줄어듦에 따라 의 오차도 줄일 수 있다. 1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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, 트랜지스터의 VBE = 0.7V 이다) 1. 목적
2.예비지식
a. 대신호 동작
b, 소신호 동작
c. 정전류 전원
3. 준비
3.1 대신호 동작
3.2소신호 동작
4. 기기 및 부품
5. 실험
5.1 대신호 동작
5.2소신호 동작
6. Pspice 실험결과
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컬렉터, 베이스, 에미터의 전압을 측정하면 =0.7371, =0, =-0.7V가 된다.
베이스 접지 증폭기에서 입력 저항 이고 이므로 =0.035이므로 =28.6Ω이고 실험에서 =4.7kΩ이므로 입력 저항을 계산하면 =28.4Ω이다. 출력 저항은 이므로 =4.7kΩ이다.
전압 이득은
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원리
B. 오실로스코프의 주요 구조
C. 주요 단자의 명칭 및 기능
3. 실험 방법
A. 초기 동작 설정 및 오실로스코프 측정
B. 주기 및 주파수의 측정
4. 실험 결과
A. 오실로스코프 이용 사인파 주파수 측정
5. 분석 및 토의
6. 고 찰
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실험 한 값이 왜 이렇게 나왔는지, 이렇게 나와야 정답인지 구별을 할 수 있게 되었다.
실험을 하면서 의문점이 생겼다. 왜 이론값과 시뮬레이션 값과 실제 실험 값이 왜 다들 다를까. 생각을 해본 결과, ① 저항의 오차, ② 소자의 오차, ③ 계
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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되고 Loading effect가 발생하지 않게 되어 발생할 수 있는 최대 전압이득을 유도할 수 있다. 위에서도 실험을 통해 분석해 본 것과 같이 RL값이 더 커지게 되면 컬렉터 저항의 합성저항은 커지게 되므로 전체 전압이득(Av)는 증가하게 된다.
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