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오른쪽에서 0V부터 시작하여, 왼쪽으로 갈 수록 VAK가 음의 크기로 커진다.
전압과 전류가 비례하는 그래프에서 역방향 다이오드가 일정 크기의 저항으로 작용하고 있음을 알 수 있다. ① 다이오드의 바이어스 인가
② 전압-전류 특성
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직선과 비슷한 모습을 나타낸다.
3) 포화가 되는 전압은?
- 실험값 내에서는 정확한 포화전압을 알 수 없지만, 그래프의 양상으로 대략 150[V]정도에서 포화되리라 예상할 수 있다. 1. 실험 결과
2. 연구 검토 및 결과
3. 결론
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특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 역방향에서 저항값이 충분히 커
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결과
※ 그림 7-2의 IC 결과
※ 그림 7-3의 회로도
※ 그림 7-3의 VCE 결과
※ 그림 7-3의 IC 결과
※ 그림 7-4의 회로도
※ 그림 7-4의 VCE 결과
※ 그림 7-4의 IC 결과
5. 데이터 시트
※이번에 사용한 소자는 트랜지스터 2N3904입니다.
6. 실제 실험 결과
파
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특성곡선
트랜지스터의 베이스-에미터 다이오드 사이에 다이오드처럼 특성곡선이 있을 수 있다.
그림 5의 특성곡선을 얻기 위해서는 먼저 , 시켜서 얻을 수 있다.
그림 5에서 베이스에 흐르는 전류 는
이식에서 이다.
(4) 컴퓨터 실습
모의실험
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특성을 관측하여 기록하라.
(7) <그림 13>의 두 조합 논리회로를 구성하여 실험을 통하여 진리표를 작성하라.
6. 실험 내용 및 결과
(1) 인버터 게이트의 회로를 구성하고 0V와 5V의 값을 가진 1kHz 구형파를 Vi에 연결한다. 입력전압 Vi와 출력전
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결과를 얻게 되었다. 그 결과의 이유는 확실히 잘 모르겠다. 예비보고서
1. 실험의 목적
2. 실험을 위한 기초 이론
3. 실험방법
4. P-spice 시뮬레이션
결과보고서
1. 실험의 목적
2. 실험용 기기 및 부품
3. 실험 결과
4. 고찰 및 토의
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생긴 도선이나 브레드보드의 내부저항, 전류나 전압을 측정할 때 멀티미터의 내부저항이 실험에서 발생한 오차에 영향을 미쳤을 것이다. 이러한 BJT의 특성곡선을 이용해서 DC, AC 전류 증폭기, 스위치 등등에 응용할 수 있을 것이다. 없음
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결과를 비교하라.
정확하게 일치합니다.
6.문턱진압
이론에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라.
VT(Si) =
고찰
Si와 Ge다이오드의 특성을 확인하기 위하여 실시한 실험 이였지만 실제 실험
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실험결과의 가장 큰 오차 원인으로 생각된다.
4-2. Gyroscope 의 동특성 실험
Gyroscope를 이용하여 부가질량을 변화해가며 실험을 수행했다. 이 실험에서 이론값과 측정값 사이의 오차가 상당히 크게 나타났음을 위의 결과를 통해 알 수 있다. 이 실
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