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1. 진법변환문제 및 논리회로 작성
(1) 실험 1-1-1에서 구한 전류 이득 값을 이용하여 이론값을 구하고, 실험 및 앞에서 구한 계 산 결과와 비교한다.
(2) 실험 1-1-1에서 구한 트랜지스터의 β 값과 값을 이용하여 회로 1, 2, 3 의 특성을
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실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험
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보면 비슷하게 나온 것을 알 수 있다.
I_{ B }
의 값에 따라
I_{ C }
의 값도 같이 커지게 된다. 그리고
I_{ C }
의 값은 어느 일정한 전압 이상에서는 일정한 전류를 흐르게 된다는 것을 알았다. 1. 실험방법
2. 실험결과
3. 결과고찰
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28.6% 까지 나오게 되었다. 소자의 특성과, 측정 장비, 전원공급장치 등 너무 많은 오차 원인이 있을 수 있다.
트랜지스터의 이미터 바이어스를 알게 해준 실험이었다. ○ 실험 목적과 목표
○ 회로도
○ 실험 10의 데이터
○ 결과 및 결론
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실험은 다양한 전압과 JFET에 흐르는 전류 사이의 관계를 확립할 것이다. 이 관계의 성질은 JFET의 적용 범위를 결정한다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 포화전류 Idss와 핀치오프 전압 측정
(2) 출력 특성
(3)
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컬렉터 피드백 바이어스 등이 그것이다.
고정 bias 회로 설계
*계산 방법
3. 실 험
트랜지스터는 1959트랜지스터를 사용하였다.
*설계
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
TR에서 1)은 이미터 2는 베이스 3은 컬렉터
1.번 실험
VBE,VCE를 측정하라 ( DCV)
VBE = 0.64V
VCE = 3.71V
2
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특성곡선 (IB = 100uA)
※ VCE 대 IC 특성곡선 (IB = 150uA)
※ VCE 대 IC 특성곡선 (IB = 200uA)
※ VCE 대 IC 특성곡선 (IB = 250uA)
※ VCE 대 IC 특성곡선 (IB = 300uA)
※ 실험 결과 설명
- IB가 각각 100, 150, 200, 250, 300이 되도록 VBB를 조정하였다. 위 사진은 그때의 각
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P형인 콜렉터로 흘러 외부 전원의 (-)극으로 들어간다. 에미터-콜렉터간은 직렬로 된 EB간 전압과 CB간 전압에 의해 연결된다. 실험일자
실험제목
실험목적
관련이론
실험기기 및 부품
실험방법
실험결과
토의
참고문헌
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실험 결과 및 고찰
트랜지스터에 대해 이해하고 증폭작용과 스위칭 작용에 대해 알아보는 실험이었다.
Function Generator를 사용하는 과정에서 Function Generator의 사용 방법을 확실하게 숙지하지 못하여 실험 진행에 차질이 있었다. Function Generator
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결과적으로 이 회로의 구조가 변수 변화에 덜 민감한 것이다.
컬렉터 귀환 회로에서의 이론적 전압 해석은 V_CC-(I_C+I_B ) R_C-I_B R_B-V_BE=0 이고 식 I_C=βI_B 식을 통해 정리하면 쉽게 전류를 구할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시
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