|
1. 목적
2. 관련 이론
트랜지스터
(1) 트랜지스터의 구조와 동작
[1] 트랜지스터의 내부
[2] 트랜지스터에 흐르는 전류(단, npn형에 대해 설명)
[3] 내부에서 전자의 움직임
3. 실험
*스위칭 동작
4. 실험 순서
5. 실험 결과 및 고찰
|
|
|
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
0
0
0
0
0
0
2
0
2
250
2
240
4
0
4
270
4
253.333333
6
0
6
280
6
p-n-p A1270
Ib=0㎂
Ib=10㎂
Ib=30㎂
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
0
0
0
0
0
0
2
0
2
240
2
240
4
0
4
270
4
253.333333
6
0
6
280
6
3.결과해석
트랜지스터의 Vce가
|
|
|
트랜지스터를 이용한 스위칭 회로와 전류 증폭 회로를 구성하여, 트랜지스터의 특성을 알아보는 실험을 할 것이다. 각각 실험 내용대로 회로를 구성한다면 스위칭 회로에서는 작은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 스위칭 할 수 있으므로 Vdd
|
|
|
실험 제목: 트랜지스터
이름: 이**
1. 실험 측정치
(1) 간단한 공통 이미터 증폭기
R_1=10kΩ, R_2=100Ω을 사용하였고 베이스 전압과 컬렉터 전압은 모두 10V를 사용하였다. 이런 실험 조건에서 측정된 input전류와 output전류는 다음과 같다.
input(
|
|
|
트랜지스터이고, 점접촉 트랜지스터는 베이스단을 기반으로 만들어진 트랜지스터이기 때문이다. 상황적으로 베이스 공통 증폭기로 분석할 수밖에 없었던 것이다.
쇼클리가 책에서 밝힌 바대로 α 는 변하는 컬렉터 전류에 변하는 에미터 전
|
|
 |
트랜지스터의 스위치 작용으로 등가 시킬 수 있다.
<그림 4-13> 센서리스 BLDC 모터에 사용되는 인버터회로
4.5.1 역기전력을 이용한 위치 검출
사각파 구동을 하는 3상 브러시리스 DC 모터는 한 정류단계에 두 상에만 전류가 흐르고, 나머지
|
|
|
전류의 log scale로 하여 그래프로 나타낸 후 오른쪽의 선형 영역에서 log(ID)가 한 decade만큼 변화될 때의 기울기를 구해 SS(subthreshold slope)를 구한다. 그 결과 값은 372 mV/decade로 유기물 소자의 대략적인 SS값인 70 mV/decade에 비해 좋지 못했다.
SS(subth
|
|
|
Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박재근, “Nano SIO Process Lab.”,<http://asmddc.hanyang.ac.kr/research/image/img19.jpg>
박재근 · 백운규. <PoRAN
|
|
|
전류흐름과 공핍층(depletion layer) ........ 10
[그림 2-2] p-n 다이오드의 전류-전압(I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 .............. 11
[그림 2-4] LED DC current의 증가에 따른 광도(luminous intensity) . 12
[그림 2-5]
|
|
 |
트랜지스터의 전류-전압 특성을 설명하시오.
□ 반도체의 도핑 과정과 그 효과에 대해 설명하시오.
4. 디지털 논리 회로 (Digital Logic Circuits)
□ 기본 논리 게이트(AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR, XNOR)의 진리표를 작성하시오.
□ 플립플롭(flip-flop)의 종
|
|
메뉴펼치기
