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1. 목적
2. 관련 이론
트랜지스터
(1) 트랜지스터의 구조와 동작
[1] 트랜지스터의 내부
[2] 트랜지스터에 흐르는 전류(단, npn형에 대해 설명)
[3] 내부에서 전자의 움직임
3. 실험
*스위칭 동작
4. 실험 순서
5. 실험 결과 및 고찰
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및 서론 …………………………… 3P
3. 부품 및 기기 …………………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~4P
5. 실험과정 ……………………………… 4~6P
6. 회로도 …………………………………… 6P
7. 소감 및 고찰
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회로를 구성할 수 있는가 답하고 그 이유를 논하라.
① OR : X + Y = (X\'Y\')Z\'
② NAND : (XY)\' = X\' + Y
③ NOR : (X + Y)\'
④ Exclusive-OR : A + B = (X\'Y\')(XY)\'
⑤ Equivalence X ≡ Y = (X+Y)\' = {(X\'Y\')\'(AB)\'}\' 트랜지스터
다이오드
논리게이트 결과보고서
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다짐했다.
그래도 결론적으로는 실험의 데이터 값을 무사히 도출할 수 있었고, 표의 전압을 기록하고 공식을 통해 도출하면서이 실험의 목적인 트랜지스터의 스위칭작용과 증폭작용에 대해 가시적으로 확인하게 되었다.
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목표
사용 부품
이론 요약
예제: 4비트 2진/BCD 코드 변환기
실험순서
실험 11보고서
실험 목표:
데이터 및 관찰 내용:
실험1. 4비트 2진/BCD코드 변환기 실험:
실험2. 4비트 2진/Excess-3 코드 변환기 실험:
평가 및 복습 문제
▶고찰
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