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교류 회로 소자인 인덕터와 커패시터의 리액턴스 개념을 실험을 통하여 이해 하고 이들 교류 소자를 직,병렬 로 연결하였을때 리액턴스의 변화를 이해한다.
(2) 교류 회로 소자의 리액턴스 개념과 연관하여 소자의 전류, 전압 간의 위상 특성
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기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드의 용
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기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장치
③ 저압 음극 스퍼터링
④ 이온 프레이팅과 이온빔을 이용한 방법
5) 막의 두께 측정방법
6) 향후의 전망
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다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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C값에 영향을 미치는 요소를 열거하라.
(3) 실험절차 (1),(2)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.1과 표14.2의 형식으로 구성하라.
(4) 실험절차 (5),(6)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.3과 표14.4의 형식으로 구성하라.
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