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분석할 수 있고 빔에 의한 손상도 매우 적다, 그러나 평면해상도(보통 ~1mm 정도)가 나쁘고, 분석속도가 비교적 느리며, H가 분석되지 않는다는 제한이 있다.
5. 참고 문헌
전자 표면 분석기기의 원리와 응용 : AES 와 XPS, 한국과학기술원 재료공학
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분석 그리고 고분자 물질의 각종 표면 처리 및 표면현상 이해 등)에 많이 이용되고 있으며,금속, 세라믹, 반도체 재료 등 모든 재료 분야에서의 ESCA 이용이 크게 증가할 것입니다. ➀ 주사전자현미경(SEM)
➁ 자외선-가시광선 분광
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법에서 반응용기에 따른 GaAs 단결정의 특성/김 은규 · 박용주 · 손맹호 · 최원철 · 민석기 저
9. 분광학적 방법을 이용한 LN 및 KLN 단결정의 조성분석/ 김태훈 · 유영문 · 노지현 저
10. 단결정 3C - SiC (Ⅲ) 박막의 성장 및 분석/서영훈 , 남기석
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법
5. AES(Auger Electron Spectroscopy)
(1) 기본원리
(2) AES/SAM의 구조
(3) AES분석의 종류
(4) 충전효과(charging effect)
(5) 주요 적용 범위
(6) 시료 준비
(7) 장점과 단점
6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)
(1) EDS 개요
(2) EDS를 이용한 정성분석
(3) EDS
조성측정방법 TGA, XRD DTA, 재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS),
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분석 가능하다. 하지만 이 완벽해 보이는 XPS도 X-ray의 매우 넓은 영역을 쏘기 때문에 국부적인 부분은 확인을 못하다. 즉 수평적인 해상도가 좋지 못하다. 하지만 Bulk의 정량정인 분석에는 효과적이고 또한 AES(Auger Electron Spectroscopy)와 비교하였
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