|
분석할 수 있고 빔에 의한 손상도 매우 적다, 그러나 평면해상도(보통 ~1mm 정도)가 나쁘고, 분석속도가 비교적 느리며, H가 분석되지 않는다는 제한이 있다.
5. 참고 문헌
전자 표면 분석기기의 원리와 응용 : AES 와 XPS, 한국과학기술원 재료공학
|
|
|
재료, 세라믹스, 박막, 고분자 피막 등의 연구에 널리 이용되면서 새로운 연구분야로 각광받고 있습니다다. 이 분석법은 최초에는 X-선을 이용한 광전자 분광법이므로 그 측정 원리에 근거하여 X-선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy)이
|
|
|
법에서 반응용기에 따른 GaAs 단결정의 특성/김 은규 · 박용주 · 손맹호 · 최원철 · 민석기 저
9. 분광학적 방법을 이용한 LN 및 KLN 단결정의 조성분석/ 김태훈 · 유영문 · 노지현 저
10. 단결정 3C - SiC (Ⅲ) 박막의 성장 및 분석/서영훈 , 남기석
|
|
|
법
5. AES(Auger Electron Spectroscopy)
(1) 기본원리
(2) AES/SAM의 구조
(3) AES분석의 종류
(4) 충전효과(charging effect)
(5) 주요 적용 범위
(6) 시료 준비
(7) 장점과 단점
6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)
(1) EDS 개요
(2) EDS를 이용한 정성분석
(3) EDS
|
|
|
재료와 유사하게 하는 합성 처리 방법 이다.
1990년도에 보석학을 기반으로 응용된 Electron microprobe analysis, bulk chemical 분석을 위한 X-ray fluorescence(XRF), infrared and Raman Spectroscopy 그리고 cathodoluminescence (특히 다이아몬드) 등이 분석 기술로 나오게
|
|
 |
분석: 유기합성 및 전이금속 촉매를 이용한 반응을 실험적으로 진행하고, 반응 메커니즘을 분석합니다.
- 나노소재 합성 및 특성 분석: 전자현미경(SEM, TEM), X선 회절분석(XRD), 라만 분광법(Raman Spectroscopy) 등을 활용하여 소재의 구조적 특성을
|
|
 |
재료물리학
30
물리학 수치해석 및 실습
64
재료열역학
31
물리학개론
65
전산물리학
32
물리학의 기초
66
전자광학
33
물리학의 현대적 이해
67
전자기학
34
물성물리실험
68
전자물리실험 1. 수상경력 (대학 시절 포함 그 이후)
2. 자격증 (면허&
|
|
메뉴펼치기
