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웨이퍼에 깊이가 1㎛이고, 직경 0.2㎛, 0.1㎛, 0.05㎛ 인 홈에 Cu를 채워 넣는 공정이다. PVD, CVD, ALD 중 어떤 것을 이용하겠는가? 생산단가와 공정시간을 염두해 둘 것!!
● PVD(Physical Vapor Deposition) : 물리적 기상 증착법
● CVD(Chemical Vapor Deposition)
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전자는 전기에 이끌려 N형 영역으로 이동하고 정공은 전기에 이끌려 P형 영역으로 이동하게 된다.
이렇게 하면 P와 N의 접합면을 통과하는 캐리어가 하나도 없으므로 전류는 흐르지 않게 된다. ■ 반도체 공정 중 산화막
● 산화막이란
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공정장비는 국산화가 미흡한 실정으로 연간 40억원을 투입하여 CVD, Track장비 등 전공정장비의 개발을 우선적으로 지원하며, 향후 300mm웨이퍼 시대 및 D램의 고집적화,고속화에 대비 시스템집적반도체 기술개발사업을 통해 국산화가 미진한 장
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반도체의 성장과정
2. 삼성전자 반도체 사업의 성공요인
3. 반도체 시장 판도변화에 따른 삼성전자의 문제점
4. 삼성전자의 대응전략
5. 삼성전자가 구축할 수 있는 핵심역량
Ⅲ. 결론 Ⅰ.서론
Ⅱ. 본론
1. 경영이념 및 철학
2. CEO
3
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삼성경제연구소 (http://www.seri.org)
LG경제연구원 (http://www.lgeri.com)
하이닉스 반도체 2003년 2004년 연간 및 분기 보고서 Ⅰ. 서 론
1.기 업 선 정 배 경
2.하 이 닉 스 반 도 체 소 개
3.주 요 연 혁
4.들 어 가 기
Ⅱ.본 론
1.반 도 체
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