|
측정치 = 1.865V
오차율 = 8.4%
k. 두 다이오드를 저항으로 교체 후의 주요 효과는 무엇인가?
엠플리튜드가 낮아졌다.
2. 실험 결과 및 검토
이번 실험은 다이오드의 특성을 이용하여 정류 회로를 꾸며보고 각 정류회로의 특성을 살펴보았다. 반파
|
|
|
실험2는 슈미트 트리거 회로를 이용한 사각파 발생회로를 만들어 R1, C1의 변화에 따른 주파수 변화를 측정해보는 실험이었습니다. 각각 R1과 C1의 값을 변화시켜가면서 실험을 하였는데, 위에서도 언급했듯이 의 식에 따라 시정수 τ(시정수=RC)
|
|
|
측정된 값을 사용하여 Q값을 구하시오.
4) 저항을 에서 으로 바꾼 후 실험 3)을 반복하시오.
5) 이론적인 공진 주파수와 Q값을 구한 뒤 실험값과 비교하시오. 저항값의 변화에 따른 Q값의 변화를 설명하시오.
6) 그림 6.2와 같이 병렬 공진회로를
|
|
|
실험
1. 아래의 실험조건에 맞게 <그림 14.5>의 회로를 구성하라.
■ 실험조건 :
: 펄스파형(=5[V], =0[V], 주기=1[ms])
R=10[k], C=0.01[F]
(1) 오실로스코프를 사용하여 (t)를 관측하고 이 파형을 (t)파형에 겹쳐 그려라.
(2) <그림 14.6>에서 과 를 측정
|
|
|
실험을 위해 <그림 3>의 회로를 구현하였다.
- 입력 D와 C의 조합을 통해 <표 2>와 같은 특성표를 얻을 수있었다.
입력
출력
D
C
Q
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
0
- D latch의 동작을 <그림 4>와 같은 시간도표상에서 어떻게 나타나는지 확인해
|
|
|
회로
1. 전류
2. 스위치 열 때 전류
3. 시정수
Ⅳ. 직렬(직렬연결)과 RLC직렬회로
Ⅴ. 직렬(직렬연결)과 RC직렬회로
1. 전류
2. 전기량
3. 시정수
4. 특성근
5. 전압
1) R 양단에 걸리는 전압
2) C 양단에 걸리는 전압
Ⅵ. 직렬(직렬연결)과
|
|
|
측정하여 표 3-2에 기록한다. 이 값을 측정한 후 곧바로 VAA를 25V로 감소시킨다. 전원전압이 계속 더 증가되면 D2는 어떻게 될까?
16. 실험 회로를 원래의 상태로 한다. 실험 보조자로 하여금 실험회로에 고장을 일으키게 한다. A,B,C점의 전압을 측
|
|
|
실험 내용 및 결과
5-1. 문턱전압
5-2. 병렬 클리퍼
5-3. 병렬 클리퍼 (계속)
5-4. 병렬 클리퍼 (정현파 입력)
5-5. 직렬 클리퍼
5-6. 직렬 클리퍼 (정현파 입력)
6-1. 문턱전압
6-2. 클램퍼 (R, C, 다이오드 조합)
6-3. 건전지를 포
|
|
|
측정모드, DC 측정모드일 때의 값을 비교해봄으로써 각각 측정된 값들이 무슨 값을 의미하는지도 알게 되었다. 저항을 연결하여 각 저항에 걸리는 전압의 파형을 출력하는 실험도 해보았는데 예비보고서에서 설계한 회로와 일치하였고 예상
|
|
|
회로를 변환시킨다. 보고서의 준비된 여백에 새로운 회로를 그린다.
6. 과정 5에서 그린 회로를 구성한다. 모든 입력 조합을 검사하고 보고서의 진리표 8-3을 완성한다. 만약 회로를 정확하게 구성하고 실험했다면, 그 진리표는 표 8-2와 같다.
|
|
메뉴펼치기
