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저항이 측정될 수 있기 때문이다.
(3) 저항의 직렬연결과 병렬연결에서 RS와 RP를 키르호프법칙을 써서 구하시오.
- 직렬연결에서
- 병렬연결(3.980V)에서
IP = I1+I2+I3 = 39.0+3.3+4.0 = 46.3 (mA)
◇ 결론 및 검토
일반 물리학 시간에 배웠던 내용을 실험을
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A
0.03 V
m
2.11×10-5 V
n
8×10-3 cm2mA-1
- 성능식을 이용하여 전압을 구한다.
- I-V 그래프를 작성한다.
- 전류 값은 20~1280까지 20씩 증가하도록 값을 정의한다.
7) 아래의 성능식을 이용하여 실험에서 얻어진 전류 전압곡선을 Fitting 하시오.
EMF : 1.0 V
은
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측정하여라. (입력 오프셋 전압은 Vz의 약 1%이다.)
-> 224mV
5. Conclusion & Evaluation
->이번 실험은 BJT의 차동증폭쌍에 대해 실험을 하였는데, 전자회로시간에서 아직 배우지 않은 부분이어서 회로해석하는데 많은 어려움이 있었다. 그래도 책을
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실험에 실패하였다. 그래서 결과값이 제대로 나오지 않았던 것 같다. 실험을 하면서 어려웠던점은 실험방법을 제대로 알지 못하여 실수가 많았던 것 같다.
앞으로는 실험방법을 제대로 이해하고 실험에 임해야겠다.
참고자료
일반화학 제7판
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Ⅱ. 본 론
1. 광전효과(Photoelectric effect)
2. 광전효과 실험을 통한 플랑크상수 측정
3. 광전효과를 통한 광전자 전압측정 실험
4. 광전효과의 쉬운 이해
5. 세슘판을 이용한 광전효과 실험
Ⅲ. 결론
6. 광전효과 결론
* 참고문헌
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실험 기회가 많이 없었다는 것에다가 뒤의 조가 기다리고 있다는 생각에 다양한 변수 값으로 많은 시도를 못해본 것이 안타까웠다.
실험하는 동안에는 저항과 커패시터가 프로브의 집게와 물릴 때 어떻게 물리냐에 따라서 실험 결과 값이 흐
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실험은 외력에 의한 빔의 변형량을 측정하여 응력과 여러 변형률을 알아보는 실험이었다. 이론으로만 배웠던 개념들을 실험을 통해 직접 확인을 해 볼 수 있었다. 스트레인 게이지에서 저항의 변화에 의해 빔의 변형량이 측정되면 인덕터로
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측정한다. 손전등을 켜서 광센서를 비추고 광량을 측정한다.
<실험결과> (1) 실험 목표
(2) 실험 배경
(3) 실험 장비 및 재료
(4) 실험방법 및 분석
실험 2.A 센서활용 : 물리량 센서를 이용한 측정
2) 운동센서(변위 센서)
3) 힘 센서
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저항 값을 잘 확인하고 실험에 임하여야 겠다. 그리고 전류와 전압을 잴 때 그 크기가 일정하게 정해지지 않고 계속 달라져서 평균값으로 실험을 했기 때문에 오차가 발생한 것 같다.
6. 참고문헌
일반 물리학 및 실험책, 매뉴얼 1. 실험 제
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실험 결과
1.1 실험데이터
1차 진동모드 : 5.27Hz
2차 진동모드 : 35.21Hz
3차 진동모드 : 105.82Hz
1.2 계산값
실험에 필요한 물성치
E(탄성계수) : E=215GPa
(밀 도) : =7690kg/
b[m](너비) : 2.365cm
h[m](높이) : 0.65mm
L[m](길이) : 30.835cm
I[](2차모멘트) :
A[](단면적) :
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