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옴이 아닌 200옴으로 했었다. 저항 값을 잘 확인하고 실험에 임하여야 겠다. 그리고 전류와 전압을 잴 때 그 크기가 일정하게 정해지지 않고 계속 달라져서 평균값으로 실험을 했기 때문에 오차가 발생한 것 같다.
6. 참고문헌
일반 물리학 및
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전기장에 의한 진동하는 전기력 때문에 사인파로 진동 해야 한다. 1. 오실로스코프의 기본원리와 작동법
2. 옴의 법칙과 저항
3. 휘트스톤브릿지에 의한 비저항 측정
4. R-L-C회로측정
5. 반도체다이오드의 특성
6. 트랜지스터의 특
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다이오드는 온도에 따라 저항이 바뀌므로, 실온에 따라 약간의 오차가 날 수 있다.
⑥ Reference
- ▷전기공학(프리머)/김상진/성안당/2000/p.161
- ▷반도체공학/강정호/명진/2007/p136~140 ① Title
② Purpose
③ Principle
(1) 옴의 법칙(Ohm's law)
(2) 저
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전기 전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이
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다이오드의 직렬구성
(가) 이상적인 다이오드를 생각할 경우
- D의 저항값 : 0[Ω] → VD=0[V]
- ID=E/R → VR=E[V]
(나) 실제의 특성을 고려할 경우
E=VD+VR=VD+RID
ID=-VD/R+E/R(VD=0→ID=E/R, ID=0→VD=E)
동작점→VD, ID
(다) 이상적인 다이오드와의 차이
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