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FET의 동작 모습이 BJT와 유사하기 때문에 어렵지 않게 실험을 통하여 이해할 수 있었으며, 다이오드와 캐패시터에 이해가 잘 되어있어서 Bonus Quiz의 회로에 대한 동작 이해를 잘 할 수 있었다.
B. 부족한 점
실험에서 잘 사용하지 않았던 BJT pnp형
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표면 전하는 주로 n형 소오스와 드레인으로부터 얻는 전자이며, 반정층(inversion later)을 형성한다. 이 반전층이 채널로 작용하게 되고, 가 임계값 를 넘어서 증가함에 ◎ 예비 보고서
▶ 실험의 목표
▶ 실험 이론
◎ 결과 보고서
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폭기
공통 게이트 증폭기는 공통 베이스 증폭기(BJT)와 유사
낮은 입력저항 Rin(source) = 1/gm
전압이득은 공통소스증폭기와 동일(Av = gmRd)
FET(Fileld-Effect Transistor)이 고입력 임피던스를 갖는 이유
간단히 말씀 드리면 FET의 물리적 구조 때문입니
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가 됩니다. 즉 FET내부의 채널이 포화된 상태가 되는 것입니다. 여기서 동작점을 어디에 두느냐에 대한 문제인 것 같은데, 일반적은 리니어로 동작을 시킬 때는 GATE전압에 따른 Id증가가 선형인 부분에서만 사용해야 하기 때문에 그 구간은 극
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실험방법 및 순서 8
5. Simulation 11
6. 주의사항 및 주요 관찰사항 16
실험 3. 트랜지스터 증폭기 실험 17
1. 실험 목적 17
2. 기초이론 17
3. 예비 보고서 21
4. 실험기자재 및 부품 21
5. 실험방법 및 순서 22
6. 실험결과 23
실험 4. FET
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