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실험?실습 교수?학습 방법
6) 견학
7) 지도학습
Ⅵ. 기술가정과(기술가정교육)의 평가
1. 평가상의 유의점
2. 평가방법
1) 서술형 및 논술형 검사
2) 찬반 토론법
3) 실험?실습법
4) 관찰법
5) 연구(조사)보고서법
6) 포트폴리오(portfolio) 평
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전자회로실험 P.60~67
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
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전자회로실험 P.85~93
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
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전기 전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture
/기초실험3/chap5/5_3.htm
http://clapton73.hihome.com/hpage/전기공학/트랜지스터/트랜지스터.html 1.트랜지스터의 정의
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전자회로실험 P.69~83
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
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컴퓨터를 이용 계측실험 기초지식
(1) 컴퓨터의 구성요소
(2) 산업현장에서 많이 사용하는 센서의 종류와 원리조사
(3) 산업현장에서 사용되는 계측/제어 자동화의 예
(4) 아날로그신호와 디지털신호의 차이점
2. 디지털입력을 이용한
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결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고정바이어스 회로
그림 3-2
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
3.29V
2.59V
13.17V
10.58V
3.82
3.79
22.10
171
.49
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규,
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최대 역방향 전압(VRPM)
(2) 순방향 평균 전류(IO)
(3) 순방향 전력 손실(PD(MAX))
2. TR(트랜지스터)
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
[2] 접합형 FET에 흐르는 전류
[3] 절연 게이트형(MOS형) FET에 흐른 전류
[4] 감소형과 증가형
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컴퓨터 시뮬레이션 - 실습 1
10) 컴퓨터 시뮬레이션 - 실습 2
5. 실험 결과 분석
1) 공통 베이스 전압 설정 결과
2) 공통 베이스 전압 증폭 결과
3) 공통 베이스 입력 저항 결과
4) 공통 베이스 출력 저항 결과
5) 이미터 팔로어 전압 설정 결과
6
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전자 기기의 성능을 개선하는 데 기여한다. 결과적으로, 이 보고서는 MOSFET의 기초적인 이해와 바이어스 회로 설계의 중요성을 통합적으로 제시하며, 향후 연구 및 개발 방향에 대한 기초 자료가 될 것이다. 1. 실험 개요
2. 실험의 목표
3.
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