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652; 각종 지적재산권법상의 보호 대상
(1) 기본적 보호대상
(2) 복합적․중복적 보호
ꊵ 지적재산권 보호제도의 존재가치
(1) 지적창작물보호의 필요성
(2) 영업표지(상표)보호의 필요성
ꊶ 신지적재산권
(1) 반도칩회로설계
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60Ω, 1200Ω 그리고 1800Ω에 대한 부하 전류 을 계산한다. 계산된 값들은 표 8.1의 의 계산값 아래에 기록하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 / 대한전자공학회 / 2006년 / 공학사 / 실험32. OP Amp 회로 실험
6. 시뮬레이션
실험 책 page 117 에 그
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실험제목……………………………………3
2. 실험목적:……………………………………3
3. 실험장치:……………………………………3
4. 실혐결과……………………………………3
5. 토의 및 오차해석…………………………4
6. 참고
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교과목 : 전자회로 실험
REPORT
제목: 실험 5. 추가 논리 게이트
실험 6. 데이터시트 해석
실 험 일: 2013년 10월 07일 .
제 출 일: 2013년 10월 14일 .
조 : .
담당교수: 박찬웅 교수님 .
학 과: 메카트로닉스 공학과 .
학 번: .
성 명: .
5. 추가 논리 게이트
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있었을 것이다.
7. 참고문헌
※ Microelectronic CIRCUITS, 5th, Sedra/Smith, Oxford, chap 3
※ 대학전자회로 실험, 1997년, 청문각, 이승훈외 3명 335~360p 1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 실험 결과 및 분석
5. 검토 및 보고 사항 (디자인 프로젝트)
6. 토의
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6) <그림 12>와 같이 회로를 구성하고 가변저항을 변화시키면서 전류-전압 특성을 관측하여 기록하라.
(7) <그림 13>의 두 조합 논리회로를 구성하여 실험을 통하여 진리표를 작성하라.
6. 실험 내용 및 결과
(1) 인버터 게이트의 회로를
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회로 :
리액턴스
=26.539kΩ
0.8484mA
0.159mA
0.863mA
Z=4.915kΩ
♣RL 병렬회로 :
리액턴스
3.768kΩ
0.8484mA
1.125mA
1.409mA
Z = 3.0106kΩ
♣RLC 병렬회로 :
리액턴스
26.539kΩ
3.768kΩ
4.319kΩ
0.9821mA
0.8484mA
1.297mA
3.270kΩ
5.참고 서적 :
전기전자 기초실험(청문각)
Fundamentals
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, 금속 피막 저항, 권선 저항 등이 있다. 고정된 값이 아닌 저항값을 사용해야 할 때는 가변 저항을 사용한다. 저항값 R은
단위 ohm[Ω]을 사용하여 나타낸다. 1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험 장비
4. 실험방법
5. 예상결과
6. 참고문헌
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6.68V 0.1377
P-G : 리플계수() = 0.140V/5.58V 0.0251
전압변동률(VR) = (무부하전압-전부하전압) / 전부하전압
A-G : 전압변동률(VR) = (10.88V-6.68V)/6.68V 0.6287
P-G : 전압변동률(VR) = (10.68V-5.58V)/5.58V 0.912
4. 참고문헌
전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험
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회로가 되기 때문이다. 1. 실험제목………………………………3
2. 실험목적:………………………………3
3. 실험장치:………………………………3
4. 실혐결과………………………………3
5. 토의 및 오차해석……………………4
6.
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