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평형상태가 됩니다.
이와 같이 재료 양단간의 온도차에 의해 발생하는 Seebeck 전압VS를 열기전력(thermoelectromotive force)라 하며, 양단간의 온도차가 매우 적은 범위에서 VS는 양단간의 온도차△T에 비례하여 아래와 같이 식(2.1)로 나타낼 수 있습
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넣었을 때 보다 높은 것을 실험을 통해 알 수 있다.
6. 참고문헌
‘현대물리학’ A.Beiser저, 정원모 번역.
‘고체전자공학’, Streetman, Ben G, 喜重堂, 1991.
‘전자재료실험 매뉴얼’. 목적
이론
실험방법
결과 및 토론
결론
참고문헌
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실험보다 오차가 아주 적게 나왔다. 처음에 회로를 꾸미는데 조금 해맨 것 빼고 측정과 계산 모두가 수월하였다. 오차가 생긴 이유는 휘트스톤 브릿지를 재는 것에서 오차가 조금 발생한 것 같다. 하지만 결과값에 만족하는 실험이었다. 5.
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전기를 사용해서 하는 실험이기 때문에 다른 경우보다 위험할 수가 있으므로 조심해야겠습니다.
실험에 임하기 전 예비보고서를 다시 자세히 읽고 실험에 임한다면 좋은 결과 있을 것 같습니다.
5. 참고 문헌 및 출처
출처: 위키 백과 [http://ko.
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결과 (캡쳐)
실습예제#2 LED Shift 점등 코드
실습예제#2 LED Toggle 점등 결과 (캡쳐)
실습예제#3 임의 코드 만들기 ( LED 2개씩 점등 )
실습예제#3 LED Toggle 점등 결과 (동영상, 캡쳐) 1. 실험목표
2. 관련이론
3. 데이터시트
4. 실험
5. 실험결과
6.
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and Circuit Theory PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky Ⅰ목적
(1) JFET 증폭기의 바이어스 회로를 고찰한다.
(2) FET 소오스 접지 증폭기의 특성을 조사한다.
(3) FET 드레인 접지 증폭기의 특성을 실험한다.
Ⅱ이론
(1)바이어스 회로
(2) 접지
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원리
B. 오실로스코프의 주요 구조
C. 주요 단자의 명칭 및 기능
3. 실험 방법
A. 초기 동작 설정 및 오실로스코프 측정
B. 주기 및 주파수의 측정
4. 실험 결과
A. 오실로스코프 이용 사인파 주파수 측정
5. 분석 및 토의
6. 고 찰
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전류
4. 기타 특성
(1) 최대 역방향 전압(VRPM)
(2) 순방향 평균 전류(IO)
(3) 순방향 전력 손실(PD(MAX))
2. TR(트랜지스터)
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
[2] 접합형 FET에 흐르는 전류
[3] 절연 게이트형(MOS형) FET에 흐른 전
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위치가 표시 되어있지 않아서 구하지 못했다.
5.참고 자료 :
전기전자 기초실험 (청문각)
Fundamentals of Electrc Circuits
http://cafe.naver.com/01031300560.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=46 1.실험 제목
2.실험 목적
3.실험 이론
4.결과 예상치
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회로를 브레드보드에 구현한 사진
우리가 실험한 회로로 브리지 전파 정류 회로를 선택하였다. 선택 이유는 파형발생기 1대로 모든 조가 실험을 하고 있어서 2대의 파형발생기가 필요한 중간 단자 전파 정류 회로는 실험을 하지 않았다. (결과
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