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.2kΩ, 3.3kΩ의 저항 두 개를 직렬로 연결하면 된다.(2200 + 3300 = 5500)
실험을 통해 회로의 전류를 측정한 결과 1.00mA의 값이 도출되었고, 이는 이론적으로 계산한 값과 일치한다. 따라서, 지정된 V와 I를 만족하는 회로를 설계하였음을 알 수 있다.
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회로도의 pspice 시뮬레이션 결과이다.
위의 식을 통해 도출된 계산값과 같음을 확인할 수 있다.
⑤ RX의 브리지 측정 실험
브리지 회로의 원리에 의해 R1 = R2인 상태에서는 R3 = RX가 되어야 한다.
따라서 실험 진행시 R3과 RX의 값을 같게 만들고 실
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실험에 따라, 옴의 법칙을 이용해 I와 V값을 가지고 R값을 추론하는 방법은 정확함을 추론할 수 있다.
③ 지정된 전압, 전류 및 저항조건을 만족하는 병렬회로 설계
※ 전압 V로부터 전류 I를 생성하는 회로 설계
→ 만족시켜야 할 IT의 값은 20mA
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결과이다. 표의 값과 일치함을 확인할 수 있다.
IL의 값이 6mA가 되어야 하는데, 시뮬레이션 결과는 이를 만족하고 있음을 알 수 있다.
⑤ 지정된 조건을 만족하는 전압분할기 설계 실험
이번 실험은 9V에서 3mA의 부하전류를 공급하는 회로를 직
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회로에 인가되는 전압을 표에 기록한다.
7. 위의 회로를 기본으로 하여 설계된 회로를 구성하고, 전압과 전류를 측정하여 기록한다.
5. 내용 출처
교과서 : 기초전기회로실험 -Zbar/Rockmaker/Bates(Seventh Edition), 네이버 백과사전 1. 실험 목적
2.
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결과이다. 각 회로 소자 이외에, 다른 곳에서 발생하는 전압차의 존재를 오차의 원인으로 추측할 수 있다.
그러나 근사한 위상차를 실험 과정의 계산을 통해 얻을 수 있었다는 점에서
VC = sin(2πft) 일 때
IC = C(dv/dt) = 2πf × Lcos(2πft)
VC = XC × IC = (
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회로 역시 키르히호프의 전류법칙을 만족한다고 할 수 있다.
시뮬레이팅 결과 역시 측정값과 차이가 발생했으나, 그 원인은 앞에서 언급한 것과 같다.
실험 ③과 실험 ④에 의해 다음과 같은 결론을 내릴 수 있다.
Iin : 유입전류, Iout : 유출전
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실험값과 이론값이 매우 근접함을 알 수 있다.
스텝 2의 회로도는 위의 회로에서 저항기를 뗀 회로이다. 즉 다음과 같다.
저항이 없으므로 저항값은 0Ω이고 출력 전압은 6V이다.
I = V/R 식을 이용하면 R = 0이므로 I = ∞가 되는 것을 알 수 있다.
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실험에 치명적인 오차를 발생시키지는 않을 것임을 추측할 수 있다. 실제로, 결과값은 이론값에 매우 근접하게 도출되었으며, 설계 조건을 근사적으로 만족하는 회로를 설계할 수 있었다.
이번 실험에서도 역시, 유입전류의 합 = 유출전류의
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회로에서 IL = 15.42 × (543.20 / (543.20 + 1200)) = 4.805039…mA ≒ 4.805mA
실험에서 측정된 값은 기존 회로의 경우 IL = 4.862mA, 노튼 등가 회로의 경우 IL = 4.886mA 로
이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
계산된 결과값과 측정값이 근사하므로, 노튼 정리
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