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10일 발행.
Electronic Device and Circuit Theory PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky Ⅰ목적
(1) JFET 증폭기의 바이어스 회로를 고찰한다.
(2) FET 소오스 접지 증폭기의 특성을 조사한다.
(3) FET 드레인 접지 증폭기의 특성을 실험한다.
Ⅱ이론
(1)
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소비 전력의 저 감화에 의해 전지의 장수명화를 도모한다.
< 회로도 >
※ 참고 자료
-센서회로 디자인 북
-www.ic114.com
-www.njr.co.jp
-naver.com
-신정정밀기계
-의용계측공학
-Biomedical Engineering
-Principles of Biomedical Instrumention And Measurement 실험1>
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정류회로를 Spice로 구성하고 입력 주기함수가 8V, 60Hz에 대해 DC 출력 전압을 구하시오. 예상한 결과를 얻는지 검토하시오.
=>
시뮬레이션의 결과 로,
약 1.1V의 오차가 발생하였다. 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비실험
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100uF일때보다 1uF일 때 더 줄어드는 것을 알 수 있었다. 그러므로 여기서의 캐퍼시터는 바이패서 캐퍼시터라는 것을 확인할 수 있었다. 1. 제목
2) 공통 소오스 증폭기
2. 예비보고사항
3. PSPICE Simulation
1) 실험1
2) 실험2
3) 실
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예비보고서에서 설계한 S/H 회로를 구현하고, 그 동적을 확인하시오.
예비보고서에서 설계한 A/D 변환기를 구현하고, 그 동작을 확인하시오.
실험 결과
위 회로에서 R을 8개로 연결하여서 SW를 on-off해 가면서 Volatage 값을 확인
00000000
-0.010V
0000000
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