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전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도하여 증착재료에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 증착 재료가 가열되어 증발하는데 이때 윗부분에 위치한 기판에 박막이 형성되는 원리를 이용한 것이다.
●PLD(Plused Laser Deposition)
- PLD는 그림과
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슬럼프가 우수하다.
Solder Paste는 젖는 것에 의해 점도가 저하되고 방치하면 다시 점도가 낮아지게 되는 성질이 있는데 이 같은 성질을 칙소성 이라고한다. 실험 목표
실험 이론
실험 절차
실험 분석
실험 결과
토 의
Reference
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실험결과
[결과분석]
A와 B 도선을 연결하면, 결과적으로 common gate amplifier가 된다. 일반적으로 gain은 큰 반면에 이 경우 회로에서 5V 에 걸리는 부하 저항이 매우 크므로 는 매우 작은 값을 가지게 된다. 따라서 Q2 MOS의 가 매우 크게 된다. 실제
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른 파형이 나타나는 것도 알 수 있다. 캐패시터는 인덕터와 함께 연결하여도 파형은 같다. 위의 3번 결과표에서 캐패시터의 파형은 전형적인 Under damping의 형태를 보인다.
결론 및 고찰
이번실험은 뒤의 9장 실험과 함께하여 시간이 매우 빠듯
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결과 보고서
실험 제목: 능동 필터
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정
소자
규격
측정 값
저항
2.7k
2.68k
10k
10.23k
10k
10.01k
44k
43.88k
66k
65.8k
100k
101.52k
200k
202.63k
캐패시터
10uF
10.01uF
10uF
10.03uF
47k과 68k 저항이 없어 44k
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V
100 mV
0.03
-30.46
10 kHz
6.5 V
100 mV
0.015
-36.48
차단 주파수 fc = 1.2 kHz
(5) 실험 분석
이번 실험은 귀환루프에 캐패시터를 연결하여 낮은 주파수에서 오픈되는 원리를 이용하여 저역 필터를 구현하였다. 500 Hz 보다 낮은 주파수 에서는 귀환루프 단이
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캐패시터
9.97
9.96
9.97
250옴저항이 없어서 220옴으로 대체
■ 실험회로 2 : 반파 정류 회로 측정
1) 실험절차에 따라서 함수발생기와 오실로스코프로 입, 출력 파형을 측정하시오.
2) 반파정류 회로 측정 전압 범위:
- 함수발생기: 주파수 1kHz, 첨두
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실험의 파형은 대체적으로는 비슷했다. 다만, 실험에서는 거의 일직선에서 되는 반면에 오실로스코프에서는 일직선이 아니라 역간 휘어졌으며, 모양도 실험에서가 더 면적이 크게 나타났다.
적분회로에서도 PSpice 이론값과 오실로스코프를
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실험회로 1: 반파 정류 회로
■ 실험회로 2: 전파 전류 회로
■ 실험회로 3: 캐패시터 필터 평활회로
1) 기본 캐패시터 평활회로
저항250
저항10k
RL = 250Ω 과 10kΩ 두 가지 경우에 대해서 리플계수를 구하라
250Ω 일 때의 리플계수 : 0.5
10kΩ 일 때의
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캐패시터를 사용하고, 저항도 값이 큰 것을 사용하면 충족된다.
3. 준비사항
3.1 실험에 사용할 기기
오실로스코프 1대
파형발생기 1대
3.2 실험에 사용할 부품
저항 1/2W(100Ω, 47Ω) 각 1개
전해 캐패시터(0.1uF, 0.33uF, 4.7uF) 각 1개
4. 실험방법
(1)
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