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전자회로실험 P.54 그림 7-3
⑤ 그림 7-3에 나타난 회로는 입력상의 노이즈에 민감하다. 이것을 보상하기 위한 회로를 그림 7-4에 나타내었다. 그림 7-3의 회로에 330Ω의 저항을 첨가하여 그림 7-4의 회로를 구성한다. 그림 7-4 회로의 특징은 다음과
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실험 결과를 바탕으로 표와 그래프를 그려본 결과, 1N4148과 1N4733 다이오드의 수치 모두 전압이 0.5V부터 천천히 올라가다가, 1~2V 시점부터 급격하게 증가됨을 알 수 있다.
7. 참고문헌
전자회로실험
p.2~5 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초
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회로 구성 시 요구되는 부품이 매우 적다는 장점을 가지고 있다.
※ 전자회로 실험 P.60 그림 8-1 (바이폴라 트랜지스터에 대한 바이어스 형태)
3. 공식
베이스 바이어스
(1)
(2)
(3)
에미터 바이어스
(1)
만약, 이면,
(2)
(3)
(4)
전압분배 바이어
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있었을 것이다.
7. 참고문헌
※ Microelectronic CIRCUITS, 5th, Sedra/Smith, Oxford, chap 3
※ 대학전자회로 실험, 1997년, 청문각, 이승훈외 3명 335~360p 1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 실험 결과 및 분석
5. 검토 및 보고 사항 (디자인 프로젝트)
6. 토의
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실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 1.실험개요
2. 실험 기자재 및 부품
3. 배경 이론
4. 실험 절자 및 Pspice simulation
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실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 4개, 저항, 커패시터, 브
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1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4-1 실험 준비물
4-2 실험 과정
4-3 실험 결과
5. 참고문헌
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1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 실험 결과 및 분석
5. 디자인 프로젝트
6. 검토 및 보고 사항
7. 토의
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1. 실험 개요
- [실험11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트
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실험처럼 접지를 할 수 없는 경우입니다.
이미터공통증폭기의 경우 콜렉터와 전압에 걸린 양단전압을 측정해야 한다. 그런데 보통 계측기(오실로스코프, power supplely, signal generator...)등은 서로 접지되어 있다. 따라서 일반 접지형 오실로스코
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