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공통에미터 회로에서 차단영역(cutoff region)은
I_B
가 0이 되는 영역으로, 그림 14-11(a)에서
I_B
가 0일 때
I_C
는 0이 아니라
I_{C E O}
가 된다는 점에 유의해야 한다.
[참고 서적]
전자공학개론 정림사. 저자 김종훈 1998년 4월 20일 발행.
전자회로.
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-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다
참고문헌
-http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/EECE232/exp/2/exp2.pdf
-전자회로, 한건희
-http://cad.yonsei.ac.kr/
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PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky Ⅰ목적
(1) JFET 증폭기의 바이어스 회로를 고찰한다.
(2) FET 소오스 접지 증폭기의 특성을 조사한다.
(3) FET 드레인 접지 증폭기의 특성을 실험한다.
Ⅱ이론
(1)바이어스 회로
(2) 접지방식에 따른
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Pass Filter
http://www.ele.uri.edu/Courses/ele443/low.pass/
(자료제공: 이상휘)
▷8051 BIBLE, 정지홍/이승무 공저,(진영사) 94page
▷전자공학과 3학년 전자공학실험책, 05-55page 1. 블럭도
2. 회로도
3. 기능 및 동작원리
4. 참고 자료
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McGrow Hill
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉 출판사
이석목, 2003년 1학기 전자물리 강의 노트
기초 전자 회로 실험 실험 제목
실험 목적
실험 이론
실험 방법
회로도
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