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전압을 통해서 실험값을 구하고 이론값과 비교하는 실험이였다.
오차의 원인으로는 도선들의 저항을 무시했다는 점이다. 도선들로 인해 전체 저항이 올라갔다. 그리고 모니터에서 나오는 전자파들이 우리가 측정하는 회로에 일정정도 영향
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전압이 0.5배로 하강하기 때문이다. 따라서 이와 같이 계산된 등가 저항으로 직류 회로단을 고쳐서 실험하면 동일한 효과를 얻을 수 있다. 등가회로 치환방법은 다음과 같다.
Reference : -전기전자공학개론, Giorgio Rizzoni지음, Mc Graw Hill 출판
-회
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사용이유를 실험한 적이 있는데 BUFFER는 일반적으로 신호의 증폭이나 BOUNCE 현상을 제거하기 위해 쓰인다. 따라서 위 회로에 쓰인 CMOS BUFFER또한 같은 이유이다. CMOS는 TTL에 비해 동적 안전성이 부족하다. 이 점을 보완하기 위한 것이다.
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실험을 하는 도중 다이오드를 연결한 브릿지나 회로를 잘못 구성하여 생긴 실수라고 볼 수 있다. 이 때문에 실험결과치가 이론으로 배웠던 값과 다르게 나온 것을 볼 수 있다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사&
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회로란 그림 5-4의 회로에서 ABCD, BDEF, ADCGH 등을 의미한다.
5. 키르히호프 법칙은 전기 및 전자공학 분야에서 가장 많이 쓰이는 법칙이므로 반드시 알아 두도록 주지시킨다. Ⅰ. 목 적
Ⅱ. 관련 이론
Ⅲ. 실험 기기 및 부품
Ⅳ. 실험 방법
Ⅴ
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회로에서의 저항의 값을 크게 사용할 경우 프로브가 회로에 미칠 수 있어 저항의 크기를 사용할 때 프로브와 시상수도 고려해야한다는 것을 알게 되었다.
References
[1]네이버 백과사전
[2]네이버 백과사전
[3]기초전기전자공학, 김종수
[4]http://do
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전자공학실험 / 대한전자공학회 / 2006년 / 공학사 / 실험31. OP Amp 특성 실험
6. 시뮬레이션
실험 책 page 117 에 그림 8.4
을 구하기 위한 회로 을 구하기 위한 회로 1.실험목적
2.이론
3.사용기기 및 부품
4.실험
5.참고자료
6.시뮬레이션
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전원
4. 전압원
5. 전류원
6. 전원의 결합
7. 키르히호프의 법칙
8. 전원 변환
9. 중첩원리
10. 테브난/노턴 등가회로
11. 등가 저항
실험방법
실험 1. 테브난의 등가회로
실험 2. 노턴의 등가회로
실험 3. 휘트스톤 브릿지 회로
예상결과
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실험의 목적
평활 회로를 이해하고 평활회로의 소자가 출력 전류 전압과 맥동(ripple)성분에 미치는
영향을 조사한다.
2. 실험 예비보고 사항
1)평활 회로의 목적 및 종류, 각각의 특성에 대해 조사하라.
·평활 회로의 목적
-현재 대부분의 전자
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회로를 테브닌 등가회로로 바꾸었을 때의 등가회로의 저항과 같다.
T 회로망 설계에 대한 실험은 거의 오차가 없었다. 1.2㏀의 결과값을 기대하는 실험에서는 1.272㏀가 나오고 전압에서도 0.011V 정도만 차이가 있었다.
4. 참고문헌
전자통신연구
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