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실험이다. 각 베이스 전류에 대해 VCE를 변화시키며 IC를 관찰한다. 회로 연결은 옆과 같다. 베타 측정 실험 회로에서 컬렉터에 연결된 저항들을 제외한 것과 동일한 회로이다.
1. CH1 DC 1.5V, CH2 DC 0V인 상태에서 5kΩ 가변저항을 조절하여 베이스
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실험방법
<실험 부품 및 장비>
DC Power Source, Multimeter, 1kΩ 저항, 10kΩ 저항, 0.1uF 커패시터, HEF4007UB
<실험 과정 - Vt 측정>
1. HEF4007UBP를 이용하여 옆의 회로를 꾸민다.
2. VDD를 10V로 고정시킨 후 VGG를 조절하여 VGS를 0V부터 5V까지 0.4V씩 증가
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<실험목적>
브릿지 정류기에서의 도통은 2개의 직렬 연결된 정류기가 교대로 도통되는 결과임을 확인한다.
입,출력 파형을 관찰하고 측정한다.
DC전압 출력과 리플에 대한 여파 회로의 효과를 측정한다. CH.9 브릿지 정류기 ( Bridge Rec
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실험 결과 및 검토
이번 실험은 다이오드의 특성을 이용하여 정류 회로를 꾸며보고 각 정류회로의 특성을 살펴보았다. 반파정류기에서 여러 정류기를 써보았는데 대체적으로 오차율이 적고 정류되는 파형도 잘나와서 만족스러운 실험이 되
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경우 (100배정도) 이미터전류는 트랜지스터의 β 에 영향을 받지 않고 트랜지스터를 바꿀 경우더라도 콜렉터 전류와 콜렉터 이미터간의 전압 또한 크게 변화가 없을 것인데 이러한 실험을 하지 않고 단순히 회로만 꾸며보고 살펴보았기 때문에
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실험의 여건상 제대로 Ib에 따른 각 region 별 콜렉터 특성을 살펴보고 비교할 수 없어서 아쉽다.
고정바이어스 실험과 전압분배기 바이어스 실험에서는 단순히 회로만 꾸며보고 그 특성을 살펴보았을 뿐 거기에 따른 트랜지스터별로 비교하거
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결 실험: 두 개의 커패시터를 병렬로 연결한 회로를 설정한 후. 다시 한 번 측정 도구를 사용하여 전체 커패시턴스 및 전압을 측정한다.
2. 주파수에 따른 Xc의 변화 실험:
커패시터를 회로에 연결하고, Xc(커패시터의 리액턴스) 값을 주파수에
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BJT와 같이 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)은 차단, 포화, 선형의 세 가지 영역에서 동작한다. JFET의 물리적 특성과 JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도
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증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통하여 확인한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서
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증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기(Fu
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