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회로도를 그림 2-6 과 같이 연결하고 저항 RL값에 대한 전압과 전류를 측정한다.
② a , b 단자를 개방하고 이때의 a , b 양단 사이의 전압을 측정한다.
③ 전원전압을 제거하고, a , b 양단 사이의 저항을 측정한다.
④ a , b 단자를 단락시키고, a , b
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법이 있다.
직렬 클리퍼 : 회로내의 저항 R에 걸리는 전압을 출력 전압 V로
사용하는 회로를 말한다.
병렬 클리퍼 : 회로내의 다이오드 양단에 걸리는 전압을 출력 전압 V로 사용하는 회로를 말한다.
베이스 클리퍼회로 : 입력신호의 선단부(앞
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시하는 최대전력전달 정리에 대해여 공부할 수있었다라는 걸 알수있었다.
나. 결과
임의의회로에서 발생된 전력을 이 회로에 연결된 부하회로에 최대로 전달하려면 부하저항 값 RL
이 테브난 등가회의 Rth의 값과 같아야 하므로
표<1>에서
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회로, 전류원은 개방회로로 대치.③ 중첩의 원리 적용 : R, L, C 등 선형소자에만 적용.
[2] 테브냉의 정리
① 테브냉의 정리 : 2개의 독립된 회로망을 접속하였을 때 전원회로를 하나의 전압원과 직렬 저항으로 대치한다. ② R0 : 전압원을 단락하
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RL 병렬 회로를 연결한다. R, 는 주어진 값으로 설정한다.
16) 전원을 On시키고 전압조절기를 이용하여 주어진 전원 전압 를 인가한다.
17) 각 전류값 , , 을 측정한다.
3A, 1.6A, 2.2A
18) 임피던스 Z와 임피던스 각 를 계산한다.
임피던스 Z = 48옴
= = 53.13
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RL=1MΩ 을 출력과 GND 사이에 연결
출력 전압을 1Vpp로 맞추기 위하여 입력 Vsin파를 Vamp 0.5로 하여 Vpp를 1[V]로 맞추고 주파수를 0.5Hz까지 낮추어 1Vpp의 출력 사인파가 나오게 회로를 구성하였다.
RL=1MΩ 을 출력과 GND 사이에 연결한 경우, 증폭단의 Op
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회로의 엑셀 그래프
3 Pre-Lab(예비실험): 실험 절차
①ELVIS II를 연결 후 저항값과 캐패시터 값을 DMM으로 측정한다.
②NPN BJT 소신호 공통 이미터 측정기 회로의 바이어스 회로들을 구성하고 , 값을 측정한다.
③공통 이미터 증폭기 회로의 RL 값을
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진 (왼쪽은 10[uF], 오른쪽은 0.47[uF])↑
↑RC 적분회로 정현파 사진 (왼쪽은 10[uF], 오른쪽은 0.47[uF])↑
3.6.1 실험④ (16.4.4 RL 적분회로)
(1) 교류전원 V1 = 50[KHz], 10Vpp의 구형파를 인가한다.
(2) 저항 R1 = 470[Ω], 인덕터 L1 = 10[mH]를 각각 연결한다.
(3) 오
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회로로 변경하였다.
마지막 단에는 RL의 값을 고려하여 출력이 잘 될 수 있고, 주파수 대역폭을 넓게 가져갈 수 있는 BJT의 Emitter follower를 추가하였다.
설계 프로젝트의 조건은 모두 완벽하게 맞추었다.
제한 조건
설계 작품
Circuit Elements
40 ea 미
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직렬형임을 감안하여 식 (7)을 식 (3)에 대입하면 의 지수 는 다음 식과 같다.
(9)
그림 4. Maxwell Wien 브리지 회로
2.1.4 Hay 브리지(병렬형)
인덕턴스의 측정에 사용되는 교류 브리지의 일종이다. 미지 임피던스의 인접한 두 변은 순 저항이고, 대향
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