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트랜지스터의 출력저항 ;
등가회로의 입력측에 을 적용하면
을 얻고, 이 식과 두번째 식으로부터 를 소거하면 출력저항 는
이 된다.
위의 식은 트랜지스터를 중심으로 한 부분적인 입출력저항과 증폭도이며, 증폭기전체에 대한 경우는 그림 1(
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트랜지스터의 차단동작영역 동작특성과 일치하는지 비교하여라.
3) 이미터 접지증폭기의 포화 동작영역 실험
(1) 그림 3-9의 트랜지스터 이미터 공통회로를 이용하여라.
(2) 컬렉터와 이미터 사이의 전압 V(CE) 전압을 측정할 수 있도록 디지털
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.
■전압이득
■입력저항
■출력저항
■전류이득
■전력이득
CE(Common-Emitter )
Ri
중 간
Ai
크 다
Av
크 다
Ro
중 간
DC해석
AC해석
= 1.소신호 증폭기
2.h-parameter
3.r-parameter
4.공통베이스 (Common-Base)
5.공통컬렉터증폭기 (Common-Collector,CC)
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측정한다 (전류 측정간 주의 할 것)
- 완성된 회로를 조금씩 변경하여 원하는 회로로 설정한다.
4 Pre-Lab(예비실험): 검토 및 느낀점
: 실험 간 회로의 증폭효과에 대하여 실제적으로 보니 더 잘 알 수 있게되었다.
예전에 해왔던 증폭기와는 달리
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하기 때문에 문제점이 발생하게 되는데 이것은 바이패스 커패시터로 증폭률을 올려주어 그 단점을 커버해준다.
6. 검토 및 논의
이번 실험에서는 공통 이미터 회로에서의 트랜지스터의 특성과 그의 증폭기에 대한 특성을 측정하는 실험이었
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