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얇은 두께의 2차원 평면에 구속된 상태
좁은 밴드갭 컬렉터 (또는 캐소드)
영역 Ⅵ,Ⅶ : GaAs, 불순물이 짙게 도핑된 반도체 1. 다이오드
2. 터널링 효과
3. 터널 다이오드
4. 공명 터널링 다이오드
5. 공명 터널링 다이오드 응용
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터널링 디바이스 및
자연현상에서의의 터널링
Report
과목: 재료현대물리
담당교수: 김남철 교수님
학번:
이름:
제출일: 4월 28일 -주사터널링현미경 [scanning tunneling microscope(STM)]
NOR형 플래시 메모리
터널 다이오드 [ tunnel diode ]
-자연현
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터널링 타임은 고전적인 천이시간과 일치하지 않았다. 고전적 천이시간은 장벽두께를 속도로 나눈 양이다. 그러나 단위시간당 양자적 천이시간확률과는 일치하였다.
터널 다이오드는 부성저항을 갖는 반도체 p-n diode 이다. 부성저항은 p-n 접
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공명형광과 레이저광과의 4차 간섭, 한국광학회
- 김헌오(2000), 두 레이저광의 간섭, 울산대학교
- 서민정 외 1명(2011), 원자매질에 의한 타원 편광된 레이저광의 자체 회전, 한국물리학회
- 오충훈 외 1명(2006), 레이저광과 생물학적 작용 기전,
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도핑하게 되면 공핍층이 좁아져 터널링 현상이 발생.
④ Threshold voltage 조절: 반도체 소자마다 문턱전압 값을 조절할 수 있다. 1. 반도체 소자 및 IC 개요
2. 웨이퍼 및 마스크 제조
3. FAB 공정
4. PHOTO, ETCH 공정
5. Doping 공정
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