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회로에서와 마찬가지로 저항의비로 증폭도가 결정되지만, 입력과위상이 같은출력을 얻는다.
그림 4. 비반전 회로
참고문헌 ; 전자회로공학 / p633~651
기초전자회로실험 / 연산증폭기편 1.op-amp의 개관
2.동작의 개요
3.op-amp 이득
4.입력/출
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기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드의 용
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회로에 흐르는 전체 전류를 계산하여 표에 기록한다.
주파수 [㎐]
VR [v]
VLC [v]
전체전류
I [A]
fR - 6000
fR - 5000
fR - 4000
fR - 3000
fR - 2000
fR - 1000
fR - 500
fR
fR + 500
fR + 1000
fR + 2000
fR + 3000
fR + 4000
fR + 5000
fR + 6000
4. 참고문헌
-최신기초전기전자실험 (김지
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4.결과 예상치
5.참고 자료
전기전자 기초 실험(청문각)
http://blog.naver.com/pkjoy?Redirect=Log&logNo=80019281902
http://cafe.naver.com/ddsan.cafe
http://cafe.naver.com/power119.cafe 1.실험 제목 :
2.실험 목적 :
3.실험 이론 :
4.결과 예상치 :
5.참고자료 :
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실험의 오차 주요 요인은 2,3,5 번의 요인이 복합적으로 나타났다. 특히 5번의 경우 우리의 눈의 부정확성 때문에 더 큰 오차를 유발할 수 있다. 1. 목 적
2. 이 론
(1) 전류
(2) 전압
(3) Ohm's Law
3. 실험방법
4. 실험 방법 2
5. 실험 결과
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회로의 단자 a-b에 대한 테브닌 전압은 단자 a-b의 개방 전압에 해당하며, 테브닌 등가저항은 단자 a-b의 개방 전압과 단락 전류의 비(ratio)에 해당한다.
5. 옴의법칙 1.정류회로
2. 키르히호프법칙
3. 옴의법칙
4. 테브넹의법칙
5. 브릿
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법칙) D, E 및 F점에서도 같은 실험을 반복한다.
의 저항 값을 기록하고 건전지의 전압을 측정, 기록한다. 이 값을 이용해서 키르히호프 제 2법칙을 확인한다. 위의 회로에서는 두 회로로 나누어 생각할 수 있다.
위의 식을 연립해서 풀면 는 다
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실험에 치명적인 오차를 발생시키지는 않을 것임을 추측할 수 있다. 실제로, 결과값은 이론값에 매우 근접하게 도출되었으며, 설계 조건을 근사적으로 만족하는 회로를 설계할 수 있었다.
이번 실험에서도 역시, 유입전류의 합 = 유출전류의
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회로에 병렬로 연결한다.
4)교류전류 측정 : 직류전류계에 정류회로를 추가하여 만든 교류전류계를 사용한다.
옴의 법칙
전기 흐름의 방해하는 작용을 전기 저항 이라하며, 저항이 클수록 전류는 적게 흐른다. 즉, 도체에 전압을 가했을 때 전
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회로
1.전기 회로의 회로 해석
(1)전기회로 (2)옴의법칙 (3)저항의접속 (4)전위의평형 (5)키르히호프의법칙 (6)회로망정리
2) 휘트스톤 브리지
1.휘트스톤 브리지 : 4개의 저항 P, Q, R, X에 검류계를 접속하는 미지의 저항을 측정하기 위한 회로.
2.브
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