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실험 결과
뒷면에 부착
7.결과 및 고찰
이번 실험은 실험적 시상수 은 구하여 이론값과 비교하여 오파를 구해보는 실험이다. 요번 실험도 역시 오실로스코프를 이용하는 실험이었기 때문에 복잡하고 어려웠다. 첫 번째 실험은 RC회로에 대한
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: 47mH
5.2. 소자를 사용한 실험
기초회로 실험에 사용되는 소자는 저항기(resistor), 분압기(potentiometer), 커패시터(capacitor), 인덕터(inductor) 등 여러 가지가 있다. 이러한 소자들의 모양이 어떠한지 실지 살펴보고, 또한 소자와 소자기호를 서로 맞추
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회로를 설계하여 시정수를 측정하였다. 인덕터의 내부저항을 고려하지 않았을 때, 계산치는 R=0.994kΩ, L=10.1mH을 사용하여 τ=10.16us로 계산되었고, 실험치는 τ=8.4us로 측정되어서, 오차는 20.95%로 매우 높게 계산되었다. 반면, 인덕터 내부저항을
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실험 9: 정류회로와 트랜지스터의 특성
실험9-1 : 정류 회로
1. 목적
2. 이론
1. 정류 회로
1.1 반파 정류 회로
1.2 전파 정류 회로
1.3 Bridge 정류 회로
1.4 평활 회로
3. 실험 기구
4. 실험 방법
실험9-2 : 트랜지스터의 특성
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회로를 구성하였는데 여기서도 마찬가지로 오차가 나타나지 않는 것과 같이 발생하였다.
7. 참고문헌
J. D. Irwin and R. M. Nelms, Basic Engineering Circuit Analysis, 9/e, Hoboken, NJ, USA:JohnWiley&Sons,2008.pp.150-172 기초회로이론 프로젝트 #2
1. 제목 : Voltag
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1. 목적
1) 논리 반전기의 회로기능과 중요한 특성들을 이해한다.
2) BJT를 이용한 논리 반전기 회로를 실험을 통해 이해한다.
2.예비지식
2.1 이상적인 디지털 논리 반전기
논리 반전기는 입력 신호의 논리 값을 반전시킨다. 따라
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회로의 선형동작영역 실험결과 (표 6-1~표 6-4)에서 구한 전류증폭률 의 평균값 를 구하여라.
그림 6-10의 트랜지스터 이미터 공통회로를 해석하여라.
단, 사용한 트랜지스터 소자의 전류증폭률 =200, 베이스와 이미터 사리의 도통전압 =0.7V, 컬렉
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IDSS / | VGS(off) | 으로 500㎲=2 × IDSS / | -3V| 을 이용해 구해 보면 7.5mA의 값이 나오게 된다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 20장에 대한 복습문제
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실험을 통해 확인하는 시간이었습니다. 지난학기 전자회로 시간에 배웠던 다이오드는 순방향에서는 약 0.7V 의 전압이 걸리고 전류가 잘 흐르는 특징을 가지고 있었고, 역방향에서는 회로가 끊어진듯한 특징을 확인 할 수있었습니다. 역방향
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