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실험
(1) <그림 7.15> 회로를 구성하라. 단, 저항은 예비과제 (1)에 있는 저항을 사용하라.
(a) = 5[V], = 10[V] 일 때 저항에 흐르는 전류()를 측정하라.
(b) = 5[V], = 0[V] 일 때 저항에 흐르는 전류()를 측정하라.
(c) = 0[V], = 10[V] 일 때 저항에 흐르는 전
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회로에서 정현파 대신에 5[VPP] 50[kHz]의 펄스 파형을 인가하고, 펄스의 상승 시간과 하강 시간을 측정하라.
⇒ CH1 상승 시간 : 26.21ns, 하강 시간 : 27.14ns
CH2 상승 시간 : 5.600, 하강 시간 : 5.640
⇒ 대략적인 위상 90
고찰
⇒ 이번 실험의 목적은 함수
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구할 수 있었습니다.
세 번째 실험에서는 <그림 7.17>과 같이 회로를 구성한 후 저항 값을 점점 증가시켰을 때의 전류 값과 전압 값을 알아보는 실험이었습니다. 이때 이라는 식에서 의 값이 점차 증가하여 무한대에 가까울 때 전압원의 내
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실험은 인덕터의 전기적인 제특성을 실험을 통해 검증하고 취급법을 익히는 실험이었다. 주파수에 따른 인덕터의 리액턴스값의 변화와 콘덴서의 직렬, 병별 회로 특성을 알아 보았다. 리액턴스는 교류일 경우에 나타나며 저항과 같이 전류의
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실험상의 인정할수 있는 오차라고 말할수 없다.
따라서 비선형회로에서는 중첩의 정리가 성립하지 않음을 알 수 있다.
8.비고 및 고찰
이번 실험은 회로의 일반적인 성질인 텔리전(Tellegen)의 정리와 선형회로의 기본 성질인 중첩의 정리를 이
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실험실에서의 전압과 전류측정에 있어서 디지털 계기에 비해 아날로그 계기가 갖는 장점은 어떤 것들이 있는가?
- 먼저 DMM의 경우 측정을 위하여 계기에 전원을 공급해줘야 한다 그러나 VOM의 경우에는 자체적으로 해결이 가능하여 계기에 별
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미터를 회로 와 연결한 상태에서 멀티미터 안의 내부 저항 값 또는 저항기와 연결된 도선의 저항을 생각안하고 계산하여서 발생한 오차일수 있다.
실험②
-키로히호프의 전압법칙에 의하면 저항의 전압강하를 모두 합하면 가해진 전원 전압
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하였다. 원회로에서는 4.142mA가 나왔고 VTH과 RTH의 직렬회로로 꾸민 테브냉 등가 회로에서는 4.064mA이 측정되었다. 이것은 계산치 IL = 4.046mA 과 비슷한 값이었다.
이번 실험을 통해서 테브냉의 등가 회로를 이용하였을 때 복잡한 회로를 간단하
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실험은 커패시터의 전기적인 제특성을 검증하고 취급법을 익히는 실험이었다.
주파수에 따른 콘덴서의 리액턴스값의 변화와 콘덴서의 직렬, 병렬 회로 특성을 알아보았다. 리액턴스는 교류일 경우에 나타나며 저항과 같이 전류의 흐름을 방
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실험실내의 온도 등 저항에 미치는 오차의 원인들이 작용하여 전류값이 0일때의 정확한 가변저항값을 측정하기란 매우 어려웠다. 이러한 이유로 오차가 발생 하기는 했지만 브리지 회로를 통한 측정값의 오차 정도는 저항 판독값의 오차 범
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