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나노기술에 대한 전반적인 평가에 따르면 우리의 기술수준은 대체적으로 선진국의 25%에 불과한 실정이다. 예를 들면, 현재 세계적으로 가장 미세한 나노 반도체소자는 인텔에서 개발한 게이트 길이가 20nm이지만 우리는 한국과학기술원(KIST)
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나노튜브의 우수한 물성과 다양한 가능성으로 인해 탄소나노튜브는 차세대 전자정보산업분야에서 폭넓게 이용될 것으로 기대된다. 제 1 장 서 론
Ⅰ-1 탄소나노튜브의 조사배경
Ⅰ-2 탄소나노튜브의 발견
Ⅰ-3 탄
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나노종합팹센터 장비와 기술진들의 도움으로 개발되었다. 8nm 반도체 기술은 성인 머리카락 두께의 1만2천분의 1에 해당되는 기술이다. 개발된 메모리 소자는 실리콘 나노선 위에 기존의 전하 저장층인 도체형 부유게이트(Floating Gate) 대신, 전
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나노소자분야 등에 역량을 모아야 하며 이를 위해 이 분야에 공동장비사용 연구인력 양성 학제간 교류활성화 우수연구인력의 집중투입 등이 효율적으로 이루어져야 한다.
4. 사 례
1. 테라급 반도체 개발
한국과학기술원(KAIST) 전자전산학과
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- off 방법론
Ⅳ. LCA(전과정평가)의 효율적 이용사례
1. ABB의 전동 모터에 대한 전과정평가 수행
2. Unilever사의 전과정평가
3. 그 밖의 기업들의 LCA 이용 사례
4. 국내 기업들의 LCA 이용 사례
(1) LG 반도체
(2) 삼성전자
-결 론
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