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노튼등가회로를 구성하면,
▲ 최고측정치가 2mA 일 때
▲ 최고측정치가 20mA 일 때
4. 실험 3에서 저항이 4개 있는 회로의 테브난 등가저항은 쉽게 계산할수 있었다. 한 가지 방법은 V, R1, R2를 아래 그림과 같이 테브난 등가회로로 바꾸는 방법이
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등가회로가 노튼의 등가회로로 어떻게 변환 될 수 있는지에 대해서 실험 과정을 통해 살펴보았다. 또 노튼의 등가회로에서 , 의 측정과 계산 과정을 통해 정의와 회로에서의 의미를 알아보았다.
특히, 테브난의 등가회로와 노튼의 등가회로를
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회로에서 IL = 15.42 × (543.20 / (543.20 + 1200)) = 4.805039…mA ≒ 4.805mA
실험에서 측정된 값은 기존 회로의 경우 IL = 4.862mA, 노튼 등가 회로의 경우 IL = 4.886mA 로
이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
계산된 결과값과 측정값이 근사하므로, 노튼 정리
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회로와 (b)회로는 등가 회로가 된다.
ex26 노튼의 정리
1. 기초 이론
전원을 포함한 일반적 능동 회로 (a)를 하나의 비종속 전원 INT와 이와 병렬인 하나의
저항 RNT로 구성되어 있는 등가 회로 (b)를 (a)의 노턴 등가 회로라 한다.
a
b
(a) (b)
<그림&g
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제외되었다.
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘노튼의 정리’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출판사 / 2009
회로이론(7판) / 제임스닐슨 저 / PEARSON / 2005
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