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동작은 WE, CE 단자를 통해 조절된다.
ME( pin2)
WE (pin3)
동작
Condition of Output
0
0
Write
Complement of data inputs
0
1
Read
Complement of selected word
1
0
Inhibit storage
Complement of data inputs
1
1
Do nothing
High
64-bit IC RAM-type 7489
< 참고문헌 >
- DigitalDesign, J.F.Wakerly 저, Pren
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메모리 동작원리
1) 어드레스 버스
7. 어드레스 / 메모리의 내부 동작
1) 어드레스
2) 메모리의 내부 동작
8. 대기상태 (Wait State)
9. 캐시 메모리 [FIFO]
10. 메모리의 구성 / 고속 DRAM의 출현
1) 메모리의 구성
2) 고속 DRAM의 출현
(1) RDRAM(
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회로설계(Design Prototype)
○ 회로 설계는 주어진 재료로 요구사항과 같이 동작이 되도록 회로를 설계하는 것이다.
○ 래핑 배선 작업을 한다.
○ 회로 설계는 복잡하지 않아야 한다.
○ 시간 점수는 없다.
5) 조정 및 측정(Measuring and Testing)
○ 주
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
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동작과 입/출력 동작의 중첩
4) 메모리 인터리빙(memory interleaving)
5) 다중프로그래밍(multiprogramming)
6) 다중처리(multiprocessing)
5. 병렬처리 구조의 분류
1) SISD system; 단일명령어스트림과 단일데이터 스트림
2) SIMD system; 단일명
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