|
실험순서 3. (입력 논리 레벨과 발생기 결선)
펄스 발생기를 이용하여 리딩 에지 트리거로 one shot을 트리거할 필요가 있다고 가정하자.
A1,A2 그리고 B에 대한 결선을 결정한다.
입력 논리 레벨과 펄스 발생기 연결에 대하여 기술하고 회로를 구
|
|
|
. 여러 상품화 되어 나오는 센서들의 출력은 사용자가 몇 볼트에서 사용할지 잘 알 수 없으므로 오픈 컬렉터로 만들기도 한다.
TTL NAND/NOR 게이트
( 예 비 ) (1) 카르노맵을 이용한 함수의 간소화
1. 실험목적
2. 실험 방법, 이론 및 예측
|
|
|
분야의 개척이 기대된다. MOSFET 기술의 발전은 전자 기기의 효율성과 성능을 높이는 데 중요한 요소로 작용하며, 차세대 기술의 기반이 될 것이다. 1. 실험 개요
2. 전기적 특성 분석
3. 데이터 해석
4. 실험 방법론
5. 이론적 배경
6. 결론
|
|
|
실험 결과를 통해 알 수 있다.
< 4. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
설계2. CMOS OP AMP 설계는 CD4007의 MOSFET소자를 사용하여 회로를 구성하고 two-stage CMOS op amp의 동작특성에 대하여 실험을 통하여 알아보았다.
설계를 진행하면서, CD4007이라는
|
|
|
수 있도록 하는 기능을 한다.
또한, Internal Triggering의 경우, 트리거 신호원 스위치를 INT에 두고 사용하면 되지만, External Triggering의 경우, 신호원 스위치를 EXT에 두고 사용한다는 것이 다르다.
[추가실험]
1. TTL/CMOS 기능 사용해보기
TTL은 다른 기
|
|
|
때문이다.
-단순히 논리적인 On/Off 만 필요한 것이 아니라 1. 트랜지스터의 동작 및 기능
2. 트랜지스터의 종류
3. 트랜지스터의 사용용도
4. 트랜지스터를 선택하는 기준
5. 트랜지스터 (Emitter, Base, Collector)
6. FET & BJT 특성비교
|
|
|
트랜지스터의 동작 및 기능
-트랜지스터는 기본적으로 전류를 증폭할 수 있는 부품. 디지털 회로에서는 ON 또는 OFF의 신호만 받기 때문에 트랜지스터의 증폭 특성의 차이는 문제가 되지 않는다. 회로 기능은 대부분이 IC로 처리하는 경우가 많
|
|
|
논리 1 레벨)를 인가한 후, 오실로스코프 (또는 멀티메타)를 사용하여 출력단자의 출력신호를 측정하여 표 2-3에 기록한다.
⑤ 표 2-3의 입력에 따른 출력신호의 형태를 그림 2-6의 타이밍도에 나타낸다.
그림 2-9 OR-AND과 AND-OR 게이트 실험회로
4.
|
|
|
회로를 구성하고 가변저항을 변화시키면서 전류-전압 특성을 관측하여 기록하라.
(7) <그림 13>의 두 조합 논리회로를 구성하여 실험을 통하여 진리표를 작성하라.
6. 실험 내용 및 결과
(1) 인버터 게이트의 회로를 구성하고 0V와 5V의 값을
|
|
|
전기전자회로실험
- 실험6. 논리조합회로의 설계 -
1.개요
◎ 논리게이트 조합으로 복잡한 논리적 함수관계 구현 및 불필요하게 복잡한 논리를 단순화 시키는 K-map 응용 방법을 익히고 don’t care 조건을 다루는 예를 실습한다.
◎ 조
|
|
메뉴펼치기
