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Top 셀
* Top 셀이 짧은 파장부분 스펙트럼 흡수
직렬연결 구조 – 전류는 제한적, 전압은 증가
Band Gap을 보다 세분화 하면 50% 효율 가능
Band Gap 엔지니어링, Lattice matching 중요 1. Ⅲ-Ⅴ족 반도체 다중접합 원리
2. 활용분야
-참고자료
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다중접합 (multijunction) 을 이용하는 디바이스(복합셀 내에서 더욱더 얇은 흡수층을 가능케 한다.) 와 빛을 잡아두는 방식은 안정된 효율의 태양전지를 제작하게 할 수 있다. 현재 이런 방법으로 비정질 실리콘 태양전지의 효율은 약 12%이상 그
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접합과 그 아래위에 약간의 실리콘층의 두께를 극한까지 얇게 한것입니다. 이것은 변환효율은 낮지만 대신 비용이 저렴합니다. 또한 접합구조에 따라 단일접합, 이중접합, 삼중접합의 다중접합구조 태양전지로 나눌수 있습니다.
화합물 태양
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박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 제작(2/9)
GaAs Substrate 위에 AlAs, epi layer 등 역성장
MOCVD, MBE 방식 역성장
Band gap이 큰 순으로 성장
Protection Layers
AlAs(희생층)과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재
HF로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 1. 박막형 Ⅲ-Ⅴ족
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다중접합 (multijunction) 을 이용하는 디바이스(복합셀 내에서 더욱더 얇은 흡 수층을 가능케 한다.) 와 빛을 잡아두는 방식은 안정된 효율의 태양전 지를 제작하게 할 수 있다. 현재 이런 방법으로 비정질 실리콘 태양전 지의 효율은 약 12%이상
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접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자이다. LED의 확대는 소형광원 및 색설계가 가능하고 소비 전력이 적어지며 수명이 길고, 특
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다중 요소를 포함한 LED 램프는 비례적으로 높은 전압을 요구한다. LED파장에서 방출하는 색깔은 보라, 파랑, 녹색, 노랑이며 자세한 것은 아래 표와 같다. [PT]
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