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많이 든다.
저온 플라즈마의 가스온도는 배출가스의 온도이며, 전자의 온도만 높기 때문에 고온을 적용할 수 없는 재료나 조건에 적용할 수 있고 장치가 간단하다. 주제 선정
저온 열 플라즈마
대기압 플라즈마
현황
동향
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있는 효과를 제공한다.
4.참고문헌
http://100.naver.com/100.nhn?docid=183890
http://100.naver.com/100.nhn?docid=792664
http://www.plasmakorea.com/
http://patent.naver.com/patent/specification.php?ApplicationNumber=102074045
http://patent.naver.com/patent/specification.php?ApplicationNumber=100830657&
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플라즈마 표면 개질
대기압 플라즈마의 원리
양 전극에 일정 간격을 띄우고 고전압을 인가해 주면 전극 사이 공간에서 방전이 형성되어 반응가스의 이온화가 이루어 진다. 이렇게 형성된 수많은 각종 기능성 이온들은 재료의 표면세정은 물
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플라즈마 기술을 이러한 금속이나 합금에 적용하려는 초기의 시도는 대기압하의 불활성 가스(일반적으로 Ar 과 He ) 분위기에서 재용해를 시도하였으므로 종종 실패하였다. 결과적으로 고가의 원료에 가스 함량이 증가하여 품위가 떨어지게
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수 있다. 예를 들면, 플라스틱에 세라믹을 증착 할 수도 있다는 것이다. 더불어 대기압 방전이므로 진공방전에 비해 저렴하고, 공간제약을 받지 않으므로 적용가능분여가 훨씬 넓어진다. 대기압 저온 플라즈마는 반도체 공정 중 기판소독과 PC
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