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접합 커패시턴스
1) 접합 커패시턴스에 관련된 식
C'= dQ'/dVR
= {εsNaNd/2(Vbi + VR)(Na + Nd)}1/2
(∵dQ'= eNddxn= eNddxp)
<균일하게 도핑된 pn 접합에 있어서 역방향 바이어스 전압의 변화에 따른 공간 전하 폭 변화>
3.3 일방 접합
1) 일방 접합이란?
: pn접
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접합하면 접합한 부분에는 정공과 전자가 결합을 하고 이온화된 전장이 형성되어 더 결합이 이루어지지 않는 공간 전하 영역 또는 공핍 층이 생기는데 p형과 n형의 바이어스가 순방향일 때 공핍 층이 없어지고 전류가 흐르게 된다는 것을 알
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도핑농도가 낮은 것으로 간주했으나 p쪽의 농도가 낮을 때도 동일한 방법을 적용할 수 있다. 식(6.63)은 대단히 재미있는 결과를 보여준다. 회로상에서 계단접합의 캐패시턴스와 인가전압을 측정하면 식(6.63)에 대한 그래프를 그릴 수가 있다.
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접합 다이오드
• 공핍 영역의 이온화된 원자들에 의해 공핍영역에 발생되는 전위차를 고유 전위 장벽 또는 고유 전위라고 함
q 평형 상태에서 PN 접합에 발생되는 고유 전위
• 고유 전위는 N영역과 P영역의 도핑 농도의 관계
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도핑된 반도체로 된 pn접합 pn접합 다이오드
개요
1. pn접합 전류
1.1 pn접합 내에서의 전하 흐름의 정성적 고찰
1.2 이상적 전류-전압 관계
1.3 경계조건
1.4 소수캐리어 분포
1.5 이상적인 pn 접합 전류
1.6 물리적 현상의
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도핑 과정과 그 효과에 대해 설명하시오.
4. 디지털 논리 회로 (Digital Logic Circuits)
□ 기본 논리 게이트(AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR, XNOR)의 진리표를 작성하시오.
□ 플립플롭(flip-flop)의 종류와 그 동작 원리를 설명하시오.
□ 레지스터와 시 <
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