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실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 바이어싱에 관한 실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사
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파형 1.실험 목표
2.이론 요약
3. 논리 임계값
4. 단일 인버터 연결
5. 2개 직렬 인버터 연결
6.두개의 인버터 교차 연결
7.Vin을 잠시 동안 접지에 접촉
8.Vin을 잠시 동안 +5.0V에 접촉
9.결함 회로 : 5번핀 개방
10.11 두 측정값이 틀린 이유
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16[V] / 8000[Ω] = 0.002[A] = 2[mA]
Q3. 회로의 미지저항 R을 구하라.
sol) V=IR이므로 20[mV] / 5[uA] = 4000[Ω] = 4[kΩ]
Q4. 회로의 미지전압 V를 정하라.
sol) V=IR이므로 0.06[mA] * 500[kΩ] = 30[V] 실험 1 Ohm's law
1. 실험진행
2. 오차의 원인
3. 확인문제
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회로의 미지 저항 R을 구하라.
V = IR에서 ,
∴ R = =
확인문제 4. 다음 회로의 미지 전압 V를 정하라.
V = IR 에서 = ∴ V = 30V [예비 Report] -2 pages
1. 실험 목적
2. 실험 기구
3. 배경 이론
VIR 의 정의
[결과 Report]- 3 pages
1. 실험 증명
2. 결론
3
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실험 3)은 이론에 대한 이해가 조금 부족했던것 같아 제대로 하지 못했는데 아쉬움이 남았다. 실험은 대부분 만족스러웠지만 브레드보드에 회로를 구성할 때 배선이나 선 색에 따른 시각적 모습 등 바쁜 마음에 완성도가 아직 많이 부족해서
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8. 앞에서 그린 그래프를 사용하여 R = 2kΩ, V = 20V인 회로의 전류를 어떻게 구할 수 있는지 설명하시오.
---> 옴의 법칙을 사용하여 I = V / R 이므로 I = 20 2 이므로 I = 10mA가 된다. 실험목적
이론적 배경
시뮬레이션
결과
실험 고찰
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따라 조금씩 부식이 일어날 수도 있기 때문에 내가 사용했던 브래드 보드 역시 이론에 가까운 완벽한 상태가 아니었을 가능성이 크기 때문에, 오차가 발생했을 가능성 또한 크다고 생각한다. 1. 회로도
2. 이론값
3. 실험결과
4. 결과분석
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실험방법
(1) 주어진 전압계의 내부 저항을 측정하시오. 전압 측정범위에 따라 내부 저항이 다를 수 도 있으므로 각 전압 측정범위에 대하여 내부 저항을 측정하시오.
(2) <그림 6.2>의 회로를 E = 10[V]으로 하여 구성하시오. 아날로그형 직류
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실험을 통해서 얻어진 gm과 바이어스 데이터를 이용하여 트랜지스터의 와 값을 구해보시오.
-> 와 을 이용하여 계산하면
= 1.125V , k = 0.919mA/V2이 나온다.
-> υc 와 υa 측정
E2.2 신호 왜곡
실험 장치 :
○ 그림 5.4회로에서 V2=15V 그리고 V1은 VC=5V
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서 실험한 전압분할 회로에 부하를 추가하면 전압 뿐만 아니라 회로에 흐르는 전류에 변동이 생긴다는 것을 알게 되었다. 그래서 부하에 무관하게 일정한 전압을 공급할 수 있는 이상 전압원이 필요하다는 교과서의 내용을 깨닫게 되었다. 교
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