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회로>
<적분회로>
6.Experimental Results
1.실험1
A.Data
전원전압 : 5V 주파수 : 2㎑
RL 미분회로
(a)
L
470
R1
R2
R3
791 Ω
3855 Ω
9978 Ω
시 정 수()
전원전압 : 5V 주파수 : 1㎐
RC 미분회로
(b)
C
100㎌
R1
R2
R3
800 Ω
5243 Ω
9238 Ω
시 정 수()
0.08
0.52
0.92
RL 미
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회로는 인 양의 반주기 동안에 캐패시터가 중전되어 캐패시터의 전압은 가 된다. 이로 인해 출력전압 가 되어 최대값이 3V인 음의 클램퍼 회로가 된다.
4. 실험 결과 및 분석
1) 실험 결과
(1) 접합 다이오드
1. 다이오드의 극성
다이오드의 극성
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회로 실험 P. 86 그림 10-2. 공통 콜렉터 증폭기
공통 콜렉터 증폭기의 특성
- 중간정도의 전류이득
- 이주 낮은 전압이득(1이하)
- 높은 입력 임피던스
- 낮은 출력 임피던스
2.2 실험 원리
① 직류 등가회로의 형성
에미터 공통 교류 증폭기의 경
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실험을 해본결과 처음이라 그런지 납땜을 하면서 node의 path가 혼동되지 않도록 주의를 기울였으며, 중간에 부품이 납땜 열로 인하여 손상되었는지, 회로가 작동하지 않을 때, 추가적으로 부품을 다시 재구입하는 등의 번거로움도 있었습니다.
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실험 진행
A. 반전증폭기
(1) 그림은 1은 그림2를 실제 OP-AMP IC와 맵핑시킨 그림이다. 핀 번호에 주의하여 회로를 꾸며라.(, )
(2) 741에 전원을 공급하고, 입력단에 의 정현파를 인가할 때 출력 파형을 오실로스코프를 이용하여 확인하라. 진폭과
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회로실험 P.54 그림 7-3
⑤ 그림 7-3에 나타난 회로는 입력상의 노이즈에 민감하다. 이것을 보상하기 위한 회로를 그림 7-4에 나타내었다. 그림 7-3의 회로에 330Ω의 저항을 첨가하여 그림 7-4의 회로를 구성한다. 그림 7-4 회로의 특징은 다음과 같
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실험도 오차는 1% 정도로 매우 작았다.
표 5.3 은 노드법과 메쉬법을 확인해 보는 실험이었다. 저항으로만 구성된 브리지 회로에서 한 노드를 reference노드로 잡고 reference 노드와 다른 세노드 간의 전압을 측정했다. 다음으로는 메쉬 전류인 IA, IB
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실험장비
a. 오실로스코프 1대
b. 함수 발생기 1대
c. 저항 1kΩ, 10kΩ 각각 1개씩
d. 커패시터 10[μF], 100[μF] 1개
4. 실험 진행
(1) [시정수 측정] 아래 그림과 같이 회로를 구성하고 커패시터를 10[V]로 충전 후 연결선을 저항에 연결하라. 오실로스
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실험
3-1 실험부품
① 저항 : 100Ω, 10KΩ
② 트랜지스터 : 2N3904
3-2 실험절차
① IB가 100uA가 되도록 VBB를 조정하고, VCC를 변화시키면서 IC를 측정한다.
② IB를 증가시키면서 2번의 과정을 반복한다.
4. PSpice 시뮬레이션 회로도
※ 전자회로실험 P.45
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실험결과에서의 입력파형과 거의 같은 모양을 유지한다.
5. 그림 10.1(a)와 (c)의 회로의 입출력 전달특성을 그려라.
▲ (a)의 회로의 입출력 전달특성 ▲ (c)의 회로의 입출력 전달특성
6. 다음 그림의 두 회로에 대하여 각각의 입출력 전달특성을
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