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실험 2 키르히호프의 전류 법칙과 전압 법칙 그리고 옴의 법칙 10
실험 3 저항기들의 직렬, 병렬, 그리고 직-병렬 접속 15
실험 4 전압-분배 및 전류-분배의 공식 20
실험 5 브리지 회로 24
실험 6 중첩의 원리 27
실험 7 테브
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회로 구현의 어려움
- 이상적인 회로는 저항기를 제외한 나머지의 저항은 0이기 때문에 저항기 외에서의 전압강하는 일어나지 않는다. 또한 이상적인 실험환경에서는 온도나 습도 등의 요소들도 배제한다. 하지만 현실적으로 이것은 불가능
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실험 시 VO를 어디를 찍어 측정해야 하는지 정확하게 파악하여야 한다.
⇒ 브리지 회로에서 대칭적인 구조로 연결되어 있는 값은 이론상으로 같은 값이 나와야 하는데 약간의 오차가 있었다. 이는 같은 소자를 사용하더라도 그 소자만의 특성
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실험 회로 6-1의 회로에서 =0.7V, =150 이라 가정하고 , , 를 구하라.
실험 회로 6-1에서 이고 =, 식을 이용하여 각 값을 구할 수 있다.
2) 실험 방법 4.1의 1) ~ 4)를 PSPICE로 시뮬레이션하고 1)의 결과와 비교하라. (DC Sweep를 이용하라.)
가 약 0.6~5.8V인 구
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실험 결과
실험 전제)
1> 주파수 발생기로 P-P 5V의 톱니 파형을 입력신호로 하였다.
2> HI 입력은 DC로 5V를 입력신호로 하였다.
3> 출력 CHECK는 오실로스코프와 디지탈 멀티미터를 이용하였다.
4> 회로의 구성은 Simulation의 회로와 같은 형
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회로에서 과도상태를 얻기 위해서 스위치를 사용하였으나, 실험상에서 스 위치를 사용할 수가 없다. 따라서 스위치 없이 반복적인 과도상태를 만들 수 있는 회 로를 구현하는 방법을 설명하라.
펄스파를 입력 전압으로 인가한 후 DC offset을 이
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실험실에서 사용하는 전자장치는 모두 전원선이 3선으로 되어있다는 것을 이해할 수 있었다. 한 선이 접지선으로 불필요한 신호를 Ground로 흘려주는 역할을 해서 장치의 안정적인 사용을 할 수 있는 것이다.
그리고 R-C회로를 가지고 LPF회로와
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더 이해하기가 편했다. 낮선 개념을 실험으로써 더 이해하기 쉬웠다. Part 1. Basic Series R-C Circuit
Part 2. Parallel R-C dc Network
Part 4. Determining C (Acual Value)
Part 5. Charging Network (Parallel Capacitors)
Part 7. Applying Thevenin's Theorem
실험결과 분석 및 토의
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회로 구현의 어려움
- 이상적인 회로는 저항기를 제외한 나머지의 저항은 0이기 때문에 저항기 외에서의 전압강하는 일어나지 않는다. 또한 이상적인 실험환경에서는 온도나 습도 등의 요소들도 배제한다. 하지만 현실적으로 이것은 불가능
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9-3]에 기록하시오.
- 예비 보고서 때와는 다르게 RD 저항을 short 시키지 않고 100ohm의 값을 주어서 실험을 진행하였다. 다음의 회로는 브레드 보드에 구성한 본 실험의 회로도의 모습이다. 1. 실험 과정 및 결과
2. 실험 결론 및 분석●고찰
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