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회로에 사용된 저항양단의 전압 Vr을 이용해 다이오드에 걸리는 전압 Vd를 측정하였다. 또, 다이오드에 흐르는 전류 Id는 Vr/1㏀을 통해 계산하였다.
- 실험에 사용한 1N914 다이오드와 1N4004다이오드를 이용해 각각 측정하고, 이를 DC 측정법을 이
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회로를 구현해 보아도 결과는 마찬가지였습니다. 문제는 오실로스코프였습니다. 출력파형의 위치가 너무 멀리 잡혀있어서 position의 몇 바퀴나 돌려서야 파형을 찾을 수 있었습니다.
우여곡절 끝에 실험을 마쳤고 실험에 중요한 점 (기본 실험
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실험 목적
2. 관련 이론
가. 사이리스터 단상브리지
나. 두 개의 사이리스터와 두 개의 다이오드를 갖는 브리지 정류기
다. 정류기와 인버터 모드
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 수동부하에 공급하는 위상 제어브리지
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3펄스정류기와 비교해서 3상 6펄스정류기의 장점은 무엇인가? 1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 3상 3펄스 정류기
나. 3상 6펄스 정류기
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 3상 3펄스 정류기
나. 3상 6펄스 정류기
5. 검토 및 결론
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실험 목적
2. 관련 이론
가. 전파위상제어(Full-wave Phase Control)
나. 반파 위상제어 : 수동부하에 공급하는 제어정류기
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 전파위상제어
나. 반파위상제어
다. 수동부하(Passive Load)에 공급하는
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실험 목적
2. 관련 이론
가. 단상 브리지정류기
나. 2상 반파정류기(Two-phase half-wave rectifier)
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 단상 브리지 정류기
나. 변압기 중성탭을 이용하여 두 개의 다이오드를 사용하는 2상 반파정류기
5.
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DC signal or power로 정류하는 목적을 갖춘 회로 이므로 선택하였다.
▶ 중간단자 전파 정류 회로(Full-wave rectifier)
<회로.4>
▶ 브리지 전파 정류 회로(Full wave bridge rectifier)
<회로.5>
● 구 현 : 모의실험
모의실험은 위의 3장에서 보인 Pspice Si
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회로의 교류특성
4. 실험 및 결과.
실험 1)
10KΩ 저항 측정 값 : 10.354KΩ
실험 1
캐패시터 용량
1μF
0.1μF
0.01μF
시정수 (이론값)
1.0345 (s)
0.1035 (s)
0.01049 (s)
시정수 (측정값)
1.003 (s)
0.0980 (s)
ㆍ
각각 1μF, 0.1μF, 0.01μF을 연결했을 때 파형이다. 첫 번째
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실험을 통해서도 비전하측정이 가능하였다. 실제로 톰슨의 실험 이외에도 비전하 측정하는 실험은 많지만 실제로 1899년 영국의 물리학자 톰슨이 라더퍼드와 공동으로 그때까지 실체를 규명하지 못하고 있던 음극선의 비전하를 측정하여 전
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회로와 RL회로의 전달함수의 크기의 주파수 특성을 실험적으로 구할 때 측정 주파수를 각각에 대해 결정하라.(3.2, 3.6 참조 예, 100, 200, 400, 600 Hz 등, 그러나 변화가 많은 부분에서는 주파수간격을 작게 해야 한다.)
RC회로에서 측정할 주파수 영
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