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실험 9. BJT의 단자 특성과 바이어싱
과목 : 기초전기회로실험
실험목적
1.활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
2.BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱
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바이어싱에 관한 실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는
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바이어싱
목표 : 고정-전압 바이어스 디자인의 문제점을 실제로 실험해본다.
그림 4.4 결함 있는 베이스-전압-바이어싱 회로
실험장치 :
○ 그림 4.4의 회로를 꾸며라.
[시뮬레이션 한 예상값]
측정 : 정확한 실험결과를 위해 사용할 저항의 값
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성
마디전압들
3.고찰
개별-회로 설계를 위한 바이어싱 만을 고찰해낼수가 있는데 증가형 MOSFETdnk 바이어스에서는 MOSFET를 이용한 개별-회로 설계에서 가장 많이 사용되는 바이어싱 배열을 나타냈다. 이 바이어싱 방법은 하나의 전력 공급기만
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바이어싱에 관해 직접 확인하고, 바이어스가 제대로 되지 않았을 때는 온도에 따라 출력 전압이 어떻게 변하는지 확인하는 것이다.
3. Implementation
- 바이폴라 트랜지스터와 저항을 빵판에 회로대로 설계한 뒤 전원장치를 통해 트랜지스터에 DC
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