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박막형 Ⅲ-Ⅴ족 태양전지 제작(2/9)
GaAs Substrate 위에 AlAs, epi layer 등 역성장
MOCVD, MBE 방식 역성장
Band gap이 큰 순으로 성장
Protection Layers
AlAs(희생층)과 Wafer 또는 Active layer 사이 존재
HF로 부터 Wafer(GaAs substrate) 보호 역할 1. 박막형 Ⅲ-Ⅴ족
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박막형 스피커(FFL)이란?
박막형 스피커(FFL)란?
-Flat Flexible Loudspeaker
-얇고 가벼운 소재의 PVDF(Poly Vinyli dene Fluoride,
이불소화비닐)를 이용하여 만든 신형 스피커
-압전플라스틱을 이용한 압전스피커 또는 필름스피커라고도 함
-Flexi
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Ⅲ-Ⅴ족 반도체 태양전지 기술(1/4)
[Si 태양전지와 InGaP/InGaAs/Ge 태양전지 흡수스펙트럼 비교]
Band Gap 크기 순으로 적층된 각각의 셀
* 가장 밴드갭이 큰 물질이 Top 셀
* Top 셀이 짧은 파장부분 스펙트럼 흡수
직렬연결 구조 – 전류는 제한
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태양전지는 아인슈타인의 광전효과에 그 이론의 밭앙을 두고 있습니다.
여기서 광전효과가 무엇이냐 하면 플랑크상수의 파장을 가진 광자가 입사하면 그 에너지로 인해 페르미 준위에 머물던 최외각 전자가 전도대로 튀어오르면서 전류를
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기존 결정질 Si 태양전지
· 장점 : 고효율, 신뢰성
· 단점 : 저가화 한계
두께 한계 : 2~300um
공정이 단속적
--> 단.중기
기존 기술의 보완
· 고효율, 저가화
· 박판 직접 제조, 구형화, 원료 재생
· 웨이퍼 박형화 < 50u
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박막형 CdTe 태양전지
2.3.2 박막형 CuInSe2 태양전지
제 3 장 CIGS 태양전지 구조 및 제조공정
3.1 CIGS 태양전지 연구 필요성 및 개요
3.2 CIGS 태양전지의 핵심 제조기술
3.2.1 기판(Substrate)
3.2.2 배면전극(Back contact)
3.2.3 광흡수
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