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다이오드 : P영역에 음(-)의 전압을, N영역에 양(+)의 전압이 인가된 상태를 역방향 (reverse) 바이어스가 인가 되었다고 함
*추가관련이론
PN 접합 다이오드는 불순물을 도핑하여 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자
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다이오드
터널 다이오드란 n 및 p영역이 모두 변질(degenerately)되게 도핑된 반도체로 된 pn접합 pn접합 다이오드
개요
1. pn접합 전류
1.1 pn접합 내에서의 전하 흐름의 정성적 고찰
1.2 이상적 전류-전압 관계
1.3 경계조건
1.4
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반도체세미나/전전정일,정학기/성안당
공학도를 위한 기초전디전자공학/김영춘/미전사이언스
인류사를 바꾼 100대사건/이정임/학민사 1.PN접합다이오드개요
2.반도체
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[100Ω]-560Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] -450Ω
[1kΩ] - ∞
1N34A
[100Ω]-250Ω
[100Ω] - ∞
0
[1kΩ] - 60Ω
[1kΩ] - ∞
(2) 다이오드의 I-V 특성을 그래프로 그려라.
5. 실험 결론 및 고찰
(1) 실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을 때 공핍층이 형성
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Silicon
● P-ype Silicon
● 다이오드의 원리
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential)
■ 다이오드(Diode) : di(둘) + ode(전극)
■ 순방향 바이어스 (Forward bias)
■ 역방향 바이어스 (Backward bias)
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