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반송자가 존재하지 않는 층(공핍층)이 있다.
2. 동작
다이오드는 P형측이 N형측보다 높은 전위가 되도록 전압E를 가하면 P형의 다수 반송자(정공)는 전지의 음극측으로 N형의 다수 반송자(전자)는 양극측에흡인되기 때문에 서로 접합면을 뚫고
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반송자인 정공과 재결합하여 베이스 전류가 되지만, 대부분의 전자는 베이스 층이 얇기 때문에 확산하는 거리가 짧아 곧 C-B 접합에 도착한다. C-B 접합에 도착한 전자는 공핍층의 전기장에 끌려 컬렉터 층으로 들어가서 컬렉터 단자에 도착한
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반송자를 주입
베이스 ; 에미터로 부터 주입된 반송자를 제어
컬렉터 : 반송자를 모으는 부분
2) TR의 동작 해석
EB
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활성 영역 | 포화 영역
-----------+------------- CB
차단 영역 | 역활성 영역
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[2] TR의 입. 출력특성
1) 입력 특성 (IB-VBE):VCE를 어떤
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반송자에 의한 효과이다. 반송자의 터널링 타임은 고전적인 천이시간과 일치하지 않았다. 고전적 천이시간은 장벽두께를 속도로 나눈 양이다. 그러나 단위시간당 양자적 천이시간확률과는 일치하였다.
터널 다이오드는 부성저항을 갖는 반
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정도) 만이 베이스 영역의 전자와 재결합 할 수 있다. 이것이 바로 베이스 전류 ( 단위)를 형성한다.
이어서 베이스 에미터(BE)사이의 바이어스를 제거하고, 베이스 콜렉터(BC)접합을 역방향으로 바이어스 시킨 경우를 생각하자. 에미터에서 베
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