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발광
발광 다이오드(Light emitting diode, LED)
레이저 다이오드(LASER diode)
수광
광다이오드(Photo diode)
전자사태 광다이오드(Avalanche photo diode)
핀 다이오드(PIN diode)
6. 출처
전자 회로 실험책 (저자: 정동철 교수님),위키백과검색-다이오드
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전체적인 성능을 평가하는데 있어서는 시간영역보다 주파수 영역의 해석이 좀더 적절할 것이다. 실험을 통해 피스파이스 실력도 나날이 발전하는 것 같아 보람있는 실험이었다. 1. 검출기
2. 정류기
3. 저역필터
4. 고역필터
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회로에 발생하는 유도전류는 항상 유도작용을 일으키는 자속의 변화를 방해하는 방향으로 흐른다는 것이다. 이 성질을 이용하여 교류로부터 직류로 변환하는 전원의 평활회로에 사용된다. 교류를 정류기에 의해 직류로 변환한 경우, 그대로
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회로에 의해 JFET소자의 입장에서 병렬로 연결되어 있으므로 29.76킬로옴이다. 이것이 입력저항이며, 출력저항은 이 실험상에서는 60킬로옴이 된다. 저항이 2배이어야 전압이 0.5배로 하강하기 때문이다. 따라서 이와 같이 계산된 등가 저항으로
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회로의 시정수는 sec이고, 입력 신호의 주기는 0.01sec로 주기보다 충분히 큰 시정수 값을 갖는다. 이론적으로는 약간의 톱니파 형태를 띄어야 하나 실제 실험 결과로는 거의 직선에 가까운 파형이 나왔다. 이는 값이 충분히 커, 정류기의 출력이
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정류 다이오드의 측정방식으로 스위칭 다이오드의 특성 그래프를 그린다.
(스위칭 다이오드의 순방향, 역방향 특성은 정류다이오드와 거의 같을 것이다.
스위칭다이오드는 명칭에서 알 수 있듯이 on-off 동작을 빠르게 한 다이오드로 회로 상
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전파 전압 체배회로와 직렬 반파 전압 체배회로에 대한 실험이었다. 우선 체배회로가 예전에 110/220V의 겸용 시절에 사용했던 것이라는 사실에 매우 놀랐다. 어떻게 이런 생각을 할 수 있었을까? 라는 생각이 드는 실험이었고, 모르는 사실을
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회로
1. 특성임피던스
2. 전파정수
여기서, α : 감쇠 정수
β : 위상 정수
3. 무손실 선로 및 무왜선로
구 분
무손실 선로
무왜선로
조 건
특성 임피던스
전파정수
파 장
전파속도
4. 분포정수 회로의 4단자 정수
과도현상
1. 과도 현상은 시정수가
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1.다이오드의 결정
→ 처음 무부하 회로를 그리면서 비교적 큰 100v 교류전압을 주었는데 이 때
자주쓰는 다이오드 D1N4001 을 사용했다. 그런데 무부하시 배전압 모양을 갖추긴 하였지만 최대가 다음그림과 같은 약70v 밖에 되지않았다.
그래
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회로
1. 특성 임피던스 및 전파정수
1) 특성임피던스
2) 전파정수
2. 무손실 선로 및 무왜형 선로
구분
무손실 선로
무왜형 선로
조건
R=0, G=0
RC = LG
특성임피던스
전파정수
파장
전파속도
3. 단락하면 임피던스, 개방하면 어드미턴스
4. 반사계수
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