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디지탈 멀티미터를 이용하였다.
4> 회로의 구성은 Simulation의 회로와 같은 형태로 구현되었다.
실험1) NOT gate 실험
☞ 74LS04를 이용하여 회로를 [그림 1]과 같은 회로를 구성하고 실험하였다.
입력
오실로 스코프
디지탈 멀티미터
HI
LO
0.125 V
LO
HI
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수식을 기입한다. 예를 들면 첫 번째 회로의 U점에는, X점에는 A+B를 기입해야 한다.
그림 2-1
표 2-1
A
B
U
V
X
Y
Z
0
0
0
1
1
0
1
1
그림 2-2
표 2-2
A
B
W
X
Y
0
0
0
1
1
0
1
1
그림 2-3
표 2-3
A
B
U
V
W
X
Y
0
0
0
1
1
0
1
1
그림 2-4
표 2-4
A
B
C
U
V
W
X
Y
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
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논리식을 구한다고 가정하자.
PI 식별단계는 ① 문제에서 주어진 각 최소항(minterm)의 2진수 값을 차례로 쓰는 것으로부터 시작한다. ② 다음에는 최소항들의 2진수 값을 보고 1의 개수가 같은 것끼리 모아 섹션(section)을 만들고 각 2진수 값 옆
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회로를 완성하게 되어 최적의 Serial Adder를 구현한다. 기본적인 Shift Register와 Full Adder를 최소한의 Gate로 구성한다. 오류 및 입력에 따른 값이 정확히 나오는지 확인한다.
3. 수행 결과
기본적인 Shift Register에 And, Or Gate를 제거하고 Mux를 넣어서
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논리식으로 간소화하여 논리도로 나타내시오.
3. 10진수 0에서 5까지에 대해 익세스-3 코드를 작성하고, 표 12-3R의 결과와 비교를 하시오. 이들이 서로 일치하는가?
4. 그림 12-7과 표 12-3R을 비교하고, 그림 12-7의 회로가 익세스-3 코드를 어떻게
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구성하면 아래와 같다. 입력 4개와 출력 3개로 회로가 매우 복잡하다.
- 인수들은 왼쪽 식과 같은 위치를 가진다. 따라서 이를 참고하여 실험 결과를
추측해 볼 수도 있다.
- 위의 실험에 대한 각각의 출력치를 측정하여 Truth table을 만들면 다음
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1. 목적 : 순차적 논리회로의 기본 소자인 래치와 플립플롭의 여러 종류에 대한 기능의 차이를 알아보고 동작 조건을 확인한다.
2. 실험 준비물
- 직류전원장치 1대
- 오실로스코프 1대
- Function Generator 1대
- Bread Board 1대
- Quad 2 Input NAND Gate (7
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다음과 같다.
※ 위에서 구성한 3-input OR, NAND, NOR gate들이 모두 잘 동작하는 것을
알 수 있다.
(3) 그림 2의 회로를 구성 L-9
워크밴치 이용
2-INPUT AND gate
3-input AND gate
3-input OR, NAND, NOR gate
De Morgan's theory를 증명하고 설명
e Morgan's theory
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회로를 구성한 뒤 ME(memory enable)와 WE(write enable) 입력단을 +5v에 접속한 뒤 WRITE를 하기 위해 우선 아래 표에 있는 Address를 A1~A4입력단에 입력 시킨 뒤 데이터 입력단 D1~D4에 해당 데이터를 입력 후 ME와 WE입력단을 0에 접속 하고 다시 +5v에 접속하
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(1) 실험 1-1-1에서 구한 전류 이득 값을 이용하여 이론값을 구하고, 실험 및 앞에서 구한 계산 결과와 비교한다.
e. 전류 이득
- 이론값
- 실험값
- 비교
(2) 실험 1-1-1에서 구한 트랜지스터의 β 값과 값을 이용하여 회로 1, 2, 3 의 특성을 Electron
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