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Bn
Cn-1
Sn
Cn
7. 7448을 이용하여 2진수를 10진수로 표시하는 회로를 구성하시오.
8. 본과를 실험하면서 나름대로 배운점을 쓰시오.
재밌는 실험이었다. 학술제 준비를 하는 과정에서 필요한 부분이었다. 많은 도움이 되어 기분이 좋았다. 특히 7-세
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회로 테스트벤치(simvision)
module TestBanch_Vending_Machine();
reg t_Clock, t_Cancel,t_Selectbit;
reg [1:0]t_In;
wire t_Change, t_Control;
wire [1:0]t_Out;
Vending_Machine M0 (t_Clock, t_Cancel,t_Selectbit,t_In, t_Change, t_Control, t_Out);
initial
begin
$shm_open(\"TestBanch_Vending_Machine.db\");
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회로는 3개의 XOR 게이트를 연결하여 구성하였다.
입력이 모두 5V일 때, 출력은 0V를 나타냈고, 그 외에 입력이 모두 0V일 때, 0V와 5V가 같이 입력되는 모든 경우 출력은 5V를 나타냈다.
결과값
이론값
검토에서 알 수 있듯이 이론으로 배운 각 각
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회로나 소자를 보호하기 위해 증착된다. 증착을 위한 사용방법에서 요구되는 박막은 다음에 재검토 된다.
이베포레이션
이베포레이션은 박막증착의 오래되고 좀 더 직접적인 방법 중의 하나이다. 증발된 물질은 진공챔버안에서 저항가열 소
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회로의 동작을 확인해보는 가장 중요한 실험에서 실수가 있어서 약간의 아쉬움이 남는다. 그렇지만 파형이나 회로의 동작으로 보았을 때, 실험의 75% 정도의 성공은 얻어냈다고 생각된다. 무엇보다도 계획서에서 준비한 대로 파형이 잘 나와
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회로를 말합니다. 플립플롭에 전류가 부가되면, 현재의 반대 상태로 변하며 (0 에서 1 로, 또는 1 에서 0 으로), 그 상태를 계속 유지하므로 한 비트의 정보를 저장할 수 있는 능력을 가지고 있습니다. 여러 개의 트랜지스터로 만들어지며, SRAM이
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Buck 컨버터와 기본적인 소자들을 맞추었다. 즉, MOSFET의 Gate 부분에 Vpulse를 달아서 회로를 구성했고, 다이오드는 D1N4002, MOSFET은 IRF150으로 설계했다. 출력전압을 12~16V로 맞추기 위해 소자값을 맞추고, Vpulse에 7V를 인가해 준 결과 15V를 얻어낼 수
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가 되도록 회로를 C1 값을 설계하시오
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C1을 33nF으로 설계하였다. 그 출력의 중심주파수는 2.083kHz를 얻을 수 있었다.
(6) 슈미츠 회로의 저항비 (RS1/RS2)와 Capacitor, C1의 값을 변화시키면서 출력파형을 관찰하시오.
Vc=0.5V, Rs1/Rs2=5kΩ/10kΩ, C1=10nF
Vc=0
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2bit * 2bit 곱셈기 설계과정 및 결과
ppt형식으로 제작
페이지수 15페이지
orcad를 이용한 회로설계 및 결과도출 1.전반적인 회로구상
2.truth table
3.k-map을 이용한 축소
4.orcad를 이용한 회로설계
5.결과그래프 및 수치
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1. 래치
디지털 회로는 조합회로와 순차회로로 나뉜다.
디지털회로는 입력과 출력을 결정하는 회로 기억능력이 없는 반면
순차회로는 현재의 입력 뿐 만 아니라 회로 내부에 기억된 상태값에 따라 출력 값이 결정.
일반적으로 가장 많
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