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실험을 한다.
Zn 시편의 그래프가 그려지는 결과를 살펴보면 방금전의 sts430의 그래프보다 부식이 훨씬 많이 진행 된 것을 알 수 있다.
실험 장치를 분해 하면서 본 시편 역시 부식이 많이 진행되었다.
*Tafel 외삽법을 이용한 값 비교
SUS430의 Ta
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측정 자료 화면에 측정한 값이 나타난다.
⑤ ▶를 누르면 다음 순서번호로 넘어간다.
⑥ 위의 과정을 반복한다.
참고문헌
김중욱(1996), 트랙 측정 시스템과 저어콘의 최적 부식조건에 관하여, 대구교육대학교 과학 교육 연구소 과학 수학 교육
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결과 및 분석
부식속도 분석
측정된 부식속도와 관련한 데이터를 EIS-Nyquist, PD를 통하여 분석하였다.
EIS
Fig. 1에 나타낸 전기화학실험의 회로를, Fig. 2에 EIS를 통해 분석한 그래프를 나타내었다.
≪ 그 래 프 ≫
Fig. 1 An equivalent circuit m
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부식 생성물에 의해서 자주 가려지기 때문에 발견하기도 매우 힘들다. 더욱이
똑 같은 조 건 하에서 발생하는 핏트의 깊이와 수에 변화가 많으므로 공식을 정 량적으로 측정한다
거나 그 정도를 비교하기는 힘들다. 또한 공식은 실험실에서
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측정하여 부식 속도를 조사하는 방법이 채택된다. 전류가 클수록 격렬하게 용해된다.
최초 천천히 녹이 슨 철은 내식성이 좋지만, 급속하게 녹이 슨 것은 좋지 않다고 하지만 실제는 급속하게 녹이 슬면 적청의 단계에서 변화가 종료되어 커
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